[发明专利]时钟信号发生器有效
申请号: | 201710278662.9 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN108123701B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | H·泽格芒特;D·派彻;S·勒图尔 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H03K3/02 | 分类号: | H03K3/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张昊 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 时钟 信号发生器 | ||
1.一种用于将光脉冲(310)转换为电子脉冲(314)以获得脉冲时钟信号的设备,所述设备包括具有第一和第二端子并且能够接收源自锁模激光源(202)的脉冲激光信号(204)的光敏电阻器(302),其中:
所述第一端子经由并联连接的电阻元件(214)和电容元件(304)联接至用于施加参考电势(GND)的节点;并且
所述第二端子连接至用于施加电源电势(VDC)的节点(210)。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,在导通状态下,所述电容元件(304)的电容(C)与所述光敏电阻器(302)的电阻值R导通的乘积小于3ps。
3.根据权利要求1或2所述的设备,其中,规定所述光敏电阻器(302)在所述光脉冲(310)期间具有小于50Ω的电阻值R导通。
4.根据权利要求1所述的设备,其中,所述光敏电阻器(302)包括掺杂为小于5*1016atoms/cm3并且配备有以3μm至9μm之间的距离隔开的两个触点(412,414)的半导体区域(406)。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述半导体区域(406)由锗制成,并且所述光脉冲(310)的中心波长在1.3μm至1.8μm之间。
6.根据权利要求4或5所述的设备,其中,所述半导体区域(406)在波导(208)的硅芯的漏斗状部分的延伸段上。
7.根据权利要求4或5所述的设备,其中,所述半导体区域(406)的长度在15μm至20μm之间。
8.根据权利要求1所述的设备,其中,所述光敏电阻器(302)的所述第一端子联接至放大器(216)的输入端。
9.根据权利要求1所述的设备,其中,所述电阻元件(214)的电阻值(R)在所述光敏电阻器在导通状态(R导通)和在断开状态(R断开)下的电阻值之间。
10.根据权利要求1所述的设备,其中,所述电阻元件(214)的电阻值(R)等于所述光敏电阻器在导通状态和在断开状态下的电阻值的乘积的平方根。
11.根据权利要求1所述的设备,其中,所述电容元件(304)的电容(C)和与所述电阻元件(214)并联的所述光敏电阻器(302)在断开状态下相对应的电阻值的乘积与大于100ps的持续时间(t断开)相对应。
12.一种时钟信号发生器,包括根据权利要求1至11中任一项所述的设备。
13.一种用于将光脉冲转换为电子脉冲以获得脉冲时钟信号的设备,所述设备包括:
光敏电阻器,具有第一节点和第二节点并且被配置为接收源自锁模激光源的脉冲激光信号;
参考电势节点,被配置为接收参考电势;
电阻元件,耦合在所述参考电势节点和所述光敏电阻器的所述第一节点之间;
电容元件,与所述参考电势节点和所述光敏电阻器的所述第一节点之间的所述电阻元件并联耦合;以及
电源电势节点,被配置为接收电源电势,光敏电阻的第二节点耦合到电源电势节点。
14.根据权利要求13所述的设备,其中,在导通状态下,所述电容元件的电容与所述光敏电阻器的电阻值的乘积小于3ps。
15.根据权利要求14所述的设备,其中,所述光敏电阻器在所述导通状态下的电阻值小于50Ω。
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