[发明专利]一种GaN基LED包覆式电极结构的制作方法

权利要求书

1.一种GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、第一次光刻电极图形制作，在GaN基LED晶片上，使用负向光刻胶，制作出光刻电极图形；

步骤2、第一次蒸镀电极，包括：

步骤2-1，将步骤1中完成的晶片，放置到电子束蒸发台腔室内，进行第一Cr层的蒸镀；

步骤2-2，进行第一Al层反射镜的蒸镀；

步骤2-3，进行Ti层蒸镀；

步骤2-4，进行Au层蒸镀；

步骤2-5，将步骤2-4中的晶片，使用蓝膜将多余金属剥离掉，得到初步电极图形，并使用去胶液去掉光刻胶，使用稀盐酸浸泡，微腐蚀处理电极侧面，得到侧面堆叠整齐的电极图形；

步骤3、第二次光刻电极图形制作；

使用负向光刻胶，在步骤1的电极图形的基础上将电极图形整体大小向外扩展，制作出与步骤2中相匹配的电极图形；

步骤4、氧气等离子体清洗，将步骤3中的晶片，放置到氧气等离子体清洗机内进行清洗作业；

步骤5、第二次蒸镀电极，包括：

步骤5-1，将步骤4中的晶片，放置到电子束蒸发台腔室内，进行第二Cr层的蒸镀；

步骤5-2，进行第二Al层反射镜的蒸镀；

步骤5-3，使用蓝膜剥离出最终电极图形，并去掉光刻胶，得到完整的电极图形。

2.根据权利要求1所述的GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，步骤2-1中，将步骤1中完成的晶片，放置到电子束蒸发台腔室内，真空度达到9.0E-6Torr或9.0E-6Torr以上之后，进行第一Cr层的蒸镀，第一Cr层的厚度为5-30埃，蒸镀后冷却3min。

3.根据权利要求1所述的GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，步骤2-2中，进行第一Al层反射镜的蒸镀，厚度为500-1000埃，冷却3min。

4.根据权利要求1所述的GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，步骤2-3中，进行Ti层蒸镀，厚度为200-500埃，冷却3min。

5.根据权利要求1所述的GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，步骤2-4中，进行Au层蒸镀，厚度为3000-5000埃，冷却至常温。

6.根据权利要求1所述的GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，步骤2-5中，将步骤2-4中晶片，使用蓝膜将多余金属剥离掉，得到初步电极图形，并使用去胶液去掉光刻胶，使用盐酸：水的体积比为1:10的稀盐酸浸泡5-20秒，微腐蚀处理电极侧面，得到侧面堆叠整齐的电极图形。

7.根据权利要求6所述的GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，步骤2-5中，所述盐酸的质量分数为36％-38％，所述盐酸的密度为1.10-1.25g/ml。

8.根据权利要求1所述的GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，步骤3中，使用负向光刻胶，在步骤1的电极图形的基础上将电极图形整体大小向外扩展0.5-1μm。

9.根据权利要求1所述的GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，步骤4中，氧气的纯度为5N级。

10.根据权利要求1所述的GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，步骤5-1，将步骤4中的晶片，放置到电子束蒸发台腔室内，真空度达到3.0E-6Torr或3.0E-6Torr以上之后，进行第二Cr层的蒸镀，第二Cr层厚度为5-30埃，蒸镀后冷却3min。

11.根据权利要求1所述的GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，步骤5-2，进行第二Al层反射镜的蒸镀，厚度为500-1000埃，冷却3min。

12.根据权利要求1所述的GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，步骤2-1和步骤5-1中，金属Cr纯度为99.99％及以上，Cr金属颗粒大小不超过5mm；步骤2-2和步骤5-2中，金属Al纯度为99.999％及以上；步骤2-3中，金属Ti纯度为99.999％及以上；步骤2-4中，Au纯度为99.999％及以上。