[发明专利]聚酰亚胺膜及覆铜层叠板有效

专利信息
申请号: 201710279853.7 申请日: 2017-04-25
公开(公告)号: CN107312329B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 松下祐之;金子和明;须藤芳树 申请(专利权)人: 日铁化学材料株式会社
主分类号: C08L79/08 分类号: C08L79/08;C08J5/18;C08G73/10;B32B27/28;B32B27/06;B32B15/20;B32B15/08
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 李艳;臧建明
地址: 日本东京千代*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 聚酰亚胺 层叠
【权利要求书】:

1.一种聚酰亚胺膜,在包含非热塑性聚酰亚胺的非热塑性聚酰亚胺层的至少一侧具有包含热塑性聚酰亚胺的热塑性聚酰亚胺层,并且

所述聚酰亚胺膜的特征在于满足下述条件i~条件iv及条件vi:

i、热膨胀系数为10ppm/K~30ppm/K的范围内;

ii、所述热塑性聚酰亚胺的玻璃转移温度为200℃以上且350℃以下的范围内;

iii、面内延迟的值为5nm以上且50nm以下的范围内;

iv、宽度方向的面内延迟的不均一性为10nm以下;

vi、所述非热塑性聚酰亚胺含有四羧酸残基及二胺残基,所述四羧酸残基及二胺残基均为芳香族基,所述芳香族基包含联苯四基或亚联苯基,并且相对于所述四羧酸残基及二胺残基的合计100摩尔份,所述联苯四基或亚联苯基为40摩尔份以上,

相对于所述非热塑性聚酰亚胺所含的所有四羧酸残基100摩尔份,由3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐所衍生的四羧酸残基为20摩尔份以上且70摩尔份以下的范围内,

相对于所述非热塑性聚酰亚胺所含的所有二胺残基100摩尔份,下述通式(1)所表示的二胺残基为20摩尔份以上,且选自由下述通式(3)~通式(5)所表示的二胺残基所组成的组群中的至少一种二胺残基为10摩尔份~30摩尔份的范围内,

式(1)中,R1、R2独立地表示碳数1的烷基;

式(3)中,R5及R6分别独立地表示氢原子、或卤素原子、或者碳数1~4的可经卤素原子取代的烷基或烷氧基或烯基,X独立地表示选自-O-、-S-、-CH2-、-CH(CH3)-、-C(CH3)2-、-CO-、-COO-、-SO2-、-NH-或-NHCO-中的二价基团,m及n独立地表示1~4的整数;

式(4)中,R5、R6及R7分别独立地表示氢原子、或卤素原子、或者碳数1~4的可经卤素原子取代的烷基或烷氧基或烯基,X独立地表示选自-O-、-S-、-CH2-、-CH(CH3)-、-C(CH3)2-、-CO-、-COO-、-SO2-、-NH-或-NHCO-中的二价基团,m、n及o独立地表示1~4的整数;

式(5)中,R5、R6、R7及R8分别独立地表示氢原子、或卤素原子、或者碳数1~4的可经卤素原子取代的烷基或烷氧基或烯基,X1及X2分别独立地表示单键或选自-O-、-S-、-CH2-、-CH(CH3)-、-C(CH3)2-、-CO-、-COO-、-SO2-、-NH-或-NHCO-中的二价基团,将X1及X2两者为单键的情况除外,m、n、o及p独立地表示1~4的整数。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜,其特征在于:

除了所述条件i~条件iv及条件vi以外,进一步满足:

v、在温度360℃的环境下以压力340MPa/m2、保持时间15分钟加压前后的面内延迟的变化量为20nm以下。

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜,其特征在于:

除了所述条件i~条件iv及条件vi以外,进一步满足:

vii、所述热塑性聚酰亚胺含有四羧酸残基及二胺残基,所述四羧酸残基及二胺残基均为芳香族基,所述芳香族基包含联苯四基或亚联苯基,并且相对于所述四羧酸残基及二胺残基的合计100摩尔份,所述联苯四基或亚联苯基为30摩尔份以上且80摩尔份以下的范围内。

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