[发明专利]半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201710280186.4 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN107400334A | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 田中祐介;松永隆秀 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08L23/30;C08L91/06;C08L83/12;C08L9/02;C08K13/06;C08K7/18;C08K9/06;C08K3/22;C08K5/544;C08K5/548;C08K3/04;C08K3/08;C |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳,池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 密封 环氧树脂 组合 装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置的制造方法。
背景技术
作为半导体芯片的密封工艺,例如,有以下的工艺。
在专利文献1中,记载有通过使模具内处于减压下进行压缩成形,对半导体芯片进行树脂密封的方法。在专利文献2中,记载有将密封用的成形材料形成为厚度3.0mm以下的粒状或片状来使用的方法。在专利文献3中,记载有将颗粒状的树脂组合物供给至模腔,使树脂组合物熔融,浸渍半导体芯片,使树脂组合物固化,由此将该半导体芯片密封的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-021908号公报
专利文献2:日本特开2006-216899号公报
专利文献3:日本特开2004-216558号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
近年来,半导体封装件的小型化和薄型化的要求越来越高。鉴于这样的状况,提出了将经由凸起(bump)高度超过规定的高度(数10μm左右)的大的焊料(solder)凸起搭载在基板上的半导体芯片密封而形成的半导体装置。采用这样的半导体装置,不仅能够削减半导体封装件中的安装面积,而且将半导体芯片与基板分离配置,因此,能够降低由两者的热膨胀系数差产生的应力的影响。但是,本发明的发明人发现,使用以往的半导体密封件制作的上述半导体装置,从电连接可靠性的观点来看具有以下那样的技术问题。
第一技术问题为:在对使用以往的半导体密封件制作的上述半导体装置进行加热的情况下,该半导体装置产生稍微的翘曲,作为结果,发生电连接不良。
第二技术问题为:在对使用以往的半导体密封件制作的上述半导体装置进行加热的情况下,产生焊料溢料(solder flash),作为结果,发生电连接不良。
根据以上,本发明提供用于制作电连接可靠性优异的半导体装置的有用的半导体密封用环氧树脂组合物、和使用该半导体密封用环氧树脂组合物的半导体装置的制造方法。
用于解决技术问题的手段
根据本发明,提供一种半导体密封用环氧树脂组合物,其用于对半导体芯片或将上述半导体芯片密封而形成的半导体封装件和凸起高度为100μm以上的焊料凸起进行密封,上述半导体密封用环氧树脂组合物含有:
环氧树脂;
酚醛树脂固化剂;和
填料,
相对于该半导体密封用环氧树脂组合物的总量,上述填料的含量为75质量%以上93质量%以下,
在260℃测定的该半导体密封用环氧树脂组合物的固化物的热时弹性模量为60MPa以上500MPa以下。
另外,根据本发明,提供一种半导体装置的制造方法,其包括:
准备上述半导体密封用环氧树脂组合物的工序;和
使用上述半导体密封用环氧树脂组合物,对半导体芯片或将上述半导体芯片密封而形成的半导体封装件和凸起高度为100μm以上的焊料凸起进行密封的工序。
发明效果
根据本发明,能够提供用于制作电连接可靠性优异的半导体装置的有用的半导体密封用环氧树脂组合物、和使用该半导体密封用环氧树脂组合物的半导体装置的制造方法。
附图说明
上述的目的以及其它的目的、特征和优点,通过以下说明的优选的实施方式和附随于其的以下的附图将变得更加明确。
图1是表示本实施方式的半导体装置的一个例子的图。
具体实施方式
以下,使用附图对实施方式进行说明。此外,在全部附图中,对于同样的构成要素标注同样的符号,适当省略说明。另外,在本说明书中,只要没有特别说明,“~”表示以上至以下。
<半导体密封用环氧树脂组合物>
本实施方式的半导体密封用环氧树脂组合物(以下,也称为本树脂组合物)用于对半导体芯片或将上述半导体芯片密封而形成的半导体封装件和凸起高度为100μm以上的焊料凸起进行密封。这样的本树脂组合物含有环氧树脂、酚醛树脂固化剂和填料,相对于该半导体密封用环氧树脂组合物的总量,填料的含量为75质量%以上93质量%以下,在260℃测定的该半导体密封用环氧树脂组合物的固化物的热时弹性模量为60MPa以上500MPa以下。通过这样,能够改善将经由凸起高度为100μm以上的焊料凸起搭载在基板上的半导体芯片密封而形成的半导体装置的电连接可靠性。
即,本树脂组合物采用了满足以下的全部3个条件的构成。
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