[发明专利]降低半导体器件的透明导电氧化物层中钠浓度的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成包括p-n结的半导体材料叠层，其中所述材料叠层包括原子浓度大于1×10¹⁹/cm³的钠；

在所述半导体材料叠层上沉积透明导电氧化物层，其中钠原子从所述半导体材料叠层扩散到所述透明导电氧化物层中；以及

使所述透明导电氧化物层的所述物理暴露表面与流体接触来去除所述透明导电氧化物层和所述半导体材料叠层中的钠。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述透明导电氧化物层的所述物理暴露表面与所述流体接触包括：为了去除所述透明导电氧化物层的所述物理暴露表面的所述钠原子，将去离子水施加到所述透明导电氧化物层的物理暴露表面，并持续足够的时间，以允许钠原子从所述透明导电氧化物层和所述半导体材料叠层的本体内部扩散到所述透明导电氧化物层的所述物理暴露表面，以降低所述透明导电氧化物层和所述半导体材料叠层中的钠的体积浓度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，通过喷雾将所述去离子水施加到所述透明导电氧化物层的所述物理暴露表面。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，通过将所述透明导电层的至少所述物理暴露表面浸入装有所述去离子水的箱中，所述去离子水被施加到所述透明导电层的所述物理暴露表面。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述去离子水被施加到所述透明导电氧化物层的所述物理暴露表面，并在50摄氏度到100摄氏度的升高的温度下持续5秒到10分钟。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述衬底设置为网状衬底，当所述网状衬底移动通过相应的沉积室时，在所述网状衬底上沉积所述半导体材料叠层和所述透明导电氧化物层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在不切割所述网状衬底的情况下或在切割所述网状衬底之前，所述网状衬底被连续移动到所述透明导电氧化物层的所述物理暴露表面的施加有去离子水的位置。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在入口位置将所述网状衬底送入装有去离子水的箱中，并在出口位置从所述箱中连续地提取。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，在将所述去离子水施加到所述透明导电氧化物层的所述物理暴露表面之前，将所述网状衬底切割成具有预定尺寸的离散的光伏电池片。

10.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：将所述网状衬底切割成离散的光伏电池；以及在使所述透明导电氧化物层的所述物理暴露表面与所述流体接触的步骤后使各光伏电池的所述透明导电氧化物层与导电互连器接触。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：将所述互连光伏电池放入光伏电池板中。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述材料叠层包括p掺杂的金属硫属化合物半导体层与n掺杂的金属硫属化合物半导体层的叠层；并且

所述透明导电氧化物层包括选自氧化锌、掺锡氧化铟和掺铝氧化锌的材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

所述p掺杂的金属硫属化合物半导体层包括铜铟镓硒(CIGS)；并且

所述n掺杂的金属硫属化合物半导体层包括选自金属硒化物，金属硫化物及其合金的材料。

14.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述衬底上设置含钠钼电极；和

在所述含钠钼电极上沉积p掺杂的金属硫属化合物半导体层和n掺杂的金属硫属化合物半导体层以形成所述半导体材料叠层，其中通过所述p掺杂的金属硫属化合物半导体层和所述n掺杂的金属硫属化合物半导体层所述钠原子从所述含钠钼电极扩散到所述透明导电氧化物层中。

15.根据权利要求书2所述的方法，其中，所述施加去离子水的步骤可使所述透明导电氧化物层中钠的体积浓度降低至少20％。