[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。

本申请文件是2013年10月18日提交的发明名称为“半导体器件及其制造方法”的第201310491132.4号发明专利申请的分案申请。

技术领域

发明构思总体而言涉及电子装置领域，更具体地，涉及半导体器件。

背景技术

更高集成度的半导体存储器件可有助于满足消费者对于优越性能和低价格的需求。在半导体存储器件的情况下，会期望增大的集成度，因为集成度在确定价格方面是重要的。然而，以期望的尺寸图案化器件会需要昂贵的设备，该期望的尺寸会限制集成度。近来已经开展了对于新技术的各种研究，以增大半导体存储器件的密度。

发明内容

根据发明构思的示例实施方式，一种半导体器件可以包括：基板；第一掺杂区和第二掺杂区，在基板上彼此间隔开设置；存储节点接触插塞，与第一掺杂区接触；位线，电连接到第二掺杂区；位线节点接触插塞，设置在位线与第二掺杂区之间；和间隔物，插置在位线与存储节点接触插塞之间以及位线节点接触插塞与存储节点接触插塞之间。间隔物可以包括：蚀刻停止图案，设置在存储节点接触插塞与位线节点接触插塞之间以至少与存储节点接触插塞接触；和第一子间隔物，设置在存储节点接触插塞与位线之间以与存储节点接触插塞和蚀刻停止图案接触。

在示例实施方式中，蚀刻停止图案可以由与第一子间隔物相同的材料形成。

在示例实施方式中，蚀刻停止图案填充存储节点接触插塞与位线节点接触插塞之间的空间。

在示例实施方式中，蚀刻停止图案具有邻近于第一子间隔物的弯曲的顶表面。

在示例实施方式中，间隔物可以还包括空气间隙区。

在示例实施方式中，空气间隙区暴露位线的侧壁。

在示例实施方式中，间隔物可以还包括第二子间隔物，其可以与位线、位线节点接触插塞、蚀刻停止图案和存储节点接触插塞全部接触。

在示例实施方式中，空气间隙区可以设置在第一子间隔物和第二子间隔物之间。

在示例实施方式中，第二子间隔物、第一子间隔物和蚀刻停止图案可以由相同的材料形成。

在示例实施方式中，间隔物可以还包括插置在第一子间隔物和第二子间隔物之间的第三子间隔物，第三子间隔物可以由关于第一子间隔物、第二子间隔物和蚀刻停止图案具有蚀刻选择性的材料形成。

在示例实施方式中，间隔物可以还包括插置在蚀刻停止图案和第二子间隔物之间的第三子间隔物，第三子间隔物可以由关于第一子间隔物、第二子间隔物和蚀刻停止图案具有蚀刻选择性的材料形成。

在示例实施方式中，蚀刻停止图案具有与存储节点接触插塞接触的侧壁，其可以对准第一子间隔物的侧壁。

在示例实施方式中，间隔物可以还包括插置在第一子间隔物和位线之间的第二子间隔物，第一子间隔物和第二子间隔物的总宽度可以基本等于蚀刻停止图案的最大宽度。此处，第二子间隔物可以由关于蚀刻停止图案和第一子间隔物具有蚀刻选择性的材料形成。

在示例实施方式中，该器件可以还包括：字线，设置在第一掺杂区和第二掺杂区之间并且在基板中；和数据存储元件，电连接到存储节点接触插塞。