[发明专利]一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板

权利要求书

1.一种互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在有源层图形上形成第一半导体层，并对所述第一半导体层进行图形化处理以在第一有源层上形成第一欧姆接触层，所述有源层图形包括同层设置且相互间隔的所述第一有源层和第二有源层；

在所述有源层图形上形成第二半导体层，并对所述第二半导体层进行图形化处理以在所述第二有源层上形成第二欧姆接触层；

其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个为n型半导体层，另一个为p型半导体层，

当所述第一半导体层为n型半导体层时，采用SiH₄、PH₃和H₂在所述有源层图形上沉积第一半导体材料以形成所述第一半导体层，或者当所述第一半导体层为p型半导体层时，采用SiH₄、B₂H₆和H₂在所述有源层图形上沉积第一半导体材料以形成所述第一半导体层；

当所述第二半导体层为n型半导体层时，采用SiH₄、PH₃和H₂在所述有源层图形上沉积第二半导体材料以形成所述第二半导体层，或者当所述第二半导体层为p型半导体层时，采用SiH₄、B₂H₆和H₂在所述有源层图形上沉积第二半导体材料以形成所述第二半导体层。

2.根据权利要求1所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在有源层图形上形成第一半导体层和所述在所述有源层图形上形成第二半导体层之前，所述制作方法还包括：

在衬底基板上形成栅极层图形，所述栅极层图形包括间隔设置的第一栅极和第二栅极；

在所述栅极层图形上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成所述有源层图形，所述第一有源层位于所述第一栅极上，所述第二有源层位于所述第二栅极上。

3.根据权利要求2所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上形成所述有源层图形之后，所述制作方法还包括：

在所述有源层图形上形成阻挡层图形，所述阻挡层图形包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层位于所述第一有源层上，且所述第一阻挡层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影内，所述第二阻挡层位于所述第二有源层上，且所述第二阻挡层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影内。

4.根据权利要求3所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为1000埃～2000埃，所述第二阻挡层的厚度为1000埃～2000埃。

5.根据权利要求1所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层上形成源漏极图形，所述源漏极图形包括第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述第一欧姆接触层连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述第二欧姆接触层连接。

6.根据权利要求5所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层上形成源漏极图形，包括：

在所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层上形成源漏极金属层；

图形化处理所述源漏极金属层、所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层，以形成所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极，且使所述第一欧姆接触层分成间隔的第一子层和第二子层，使所述第二欧姆接触层分成间隔的第一子层和第二子层，所述第一源极位于所述第一欧姆接触层的第一子层上，所述第一漏极位于所述第一欧姆接触层的第二子层上，所述第二源极位于所述第二欧姆接触层的第一子层上，所述第二漏极位于所述第二欧姆接触层的第二子层上。