[发明专利]多指静电放电（ESD）保护装置的增强布局

权利要求书

1.一种多指静电放电(ESD)保护装置，包括：

沿第一方向定向的多个相邻的ESD钳位装置，其中所述多个相邻的ESD钳位装置中的每个ESD钳位装置包括输入/输出(I/O)焊盘和被配置为耦合到参考电位的触点；和

与所述多个相邻ESD的钳位装置相关联的多个触点，其中所述多个触点沿垂直于所述第一方向的第二方向定向。

2.根据权利要求1所述的多指ESD保护装置，其中所述多个相邻的ESD钳位装置包括所述多指ESD保护装置的多个指状物。

3.根据权利要求1所述的多指ESD保护装置，其中所述多个相邻的ESD钳位装置包括多个MOSFET器件，并且所述多个触点包括多个主体触点。

4.根据权利要求1所述的多指ESD保护装置，其中所述多个相邻的ESD钳位装置包括多个NPN晶体管器件，并且所述多个触点包括多个基极触点。

5.根据权利要求3所述的多指ESD保护装置，其中所述多个MOSFET器件包括多个接地栅极NMOS(ggNMOS)晶体管器件。

6.根据权利要求3所述的多指ESD保护装置，其中所述多个MOSFET器件包括多个ggPMOS晶体管器件。

7.根据权利要求1所述的多指ESD保护装置，其中所述多个相邻的ESD钳位装置包括多个PNP晶体管器件。

8.根据权利要求1所述的多指ESD保护装置，其中与所述多个相邻的ESD钳位装置相关联的所述多个触点布置在所述多指ESD保护装置的两个相对的边缘处。

9.根据权利要求1所述的多指ESD保护装置，其中所述多指ESD保护装置形成在半导体集成电路、晶片、芯片或管芯上。

10.一种形成多指ESD保护装置的方法，包括：

形成多个相邻的ESD钳位装置；

沿第一方向定向所述多个相邻的ESD钳位装置；

形成与所述多个相邻的ESD钳位装置相关联的多个触点；和

沿垂直于所述第一方向的第二方向定向所述多个触点。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述多个相邻的ESD钳位装置包括形成多个相邻的ggNMOS晶体管器件。

12.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述多个相邻的ESD钳位装置包括形成多个相邻的MOSFET器件。

13.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述多个相邻的ESD钳位装置包括形成多个相邻的NPN晶体管器件。

14.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述多个相邻的ESD钳位装置包括形成多个相邻的电压钳位器。

15.一种系统，包括：

发射机；

接收机；和

耦合到所述发射机的输入或输出和参考电位的至少一个多指ESD保护装置，其中所述至少一个多指ESD保护装置包括沿第一方向定向的多个相邻的ESD钳位装置，其中所述多个相邻的ESD钳位装置中的每个ESD钳位装置包括被配置为耦合到所述发射机的所述输入或所述输出的I/O焊盘和被配置为耦合到所述参考电位的触点，以及

与所述多个相邻的ESD钳位装置相关联的多个触点，其中所述多个触点沿垂直于所述第一方向的第二方向定向。

16.根据权利要求15所述的系统，还包括耦合到所述接收机的输入或输出和所述参考电位的至少一个第二多指ESD保护装置。

17.根据权利要求15所述的系统，其中所述系统包括形成在半导体晶片、芯片、集成电路或管芯上的收发器。

18.一种系统，包括：

电平移位器；

解码器/驱动器；和

耦合到所述电平移位器的输入和参考电位的至少一个多指ESD保护装置，其中所述至少一个多指ESD保护装置包括沿第一方向定向的多个相邻的ESD钳位装置，其中所述多个相邻的ESD钳位装置的每个ESD钳位装置包括被配置为耦合到所述电平移位器的所述输入的I/O焊盘以及被配置为耦合到所述参考电位的触点；和

与所述多个相邻的ESD钳位装置相关联的多个触点，其中所述多个触点沿垂直于所述第一方向的第二方向定向。