[发明专利]功率半导体构件和用于制造功率半导体构件的方法

权利要求书

1.功率半导体构件(20、30)，所述功率半导体构件具有：

·半导体衬底(21、31)，该半导体衬底具有第一掺杂，

·外延层(22、32)，该外延层布置在所述半导体衬底(21、31)上并且具有第二掺杂，和

·第一区域(23a、33a)，该第一区域至少部分由所述外延层(22、32)包围并且具有第三掺杂，

其特征在于，

设置第二区域(23d、33d)，该第二区域与所述第一区域(23a、33a)同心地布置并且相对于所述第一区域(23a、33a)具有水平距离，其中，所述第二区域(23d、33d)延伸直到所述功率半导体构件(20、30)的棱边并且具有第四掺杂。

2.根据权利要求1的功率半导体构件(20、30)，其特征在于，所述第一掺杂和所述第二掺杂具有同样的载流子类型，尤其是载流子类型n。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体构件(20、30)，其特征在于，所述第三掺杂和所述第四掺杂具有同样的载流子类型，尤其是载流子类型p。

4.根据上述权利要求中任一项所述的功率半导体构件(20、30)，其特征在于，在所述第一区域(23a、33a)与所述第二区域(23d、33d)之间设置至少一个另一区域(33b)，其中，所述另一区域(33b)同心地围绕所述第一区域(23a、33a)布置并且分别相对于所述第一区域(23a、33a)和相对于所述第二区域(23b，33b)具有水平距离，其中，所述另一区域(33b)具有第五掺杂，其中，所述第五掺杂具有与所述第一区域(23a、33a)和所述第二区域(23b，33b)相同的载流子类型。

5.用于制造功率半导体构件(20、30)的方法(400)，所述方法具有以下步骤：

·施加(410)外延层到功率半导体晶片上，

·产生(420)掺杂的第一区域，该掺杂的第一区域至少部分地由所述外延层包围，其中，掺杂的所述第一区域尤其是p掺杂的，并且产生第二区域，该第二区域与所述第一区域同心地布置并且相对于所述第一区域具有水平的距离，其中，掺杂的所述第二区域尤其是p掺杂的，并且

·分开(430)所述功率半导体晶片，其中，所述功率半导体构件的断口棱边基本上垂直地穿过所述第二区域走向。

6.根据权利要求5所述的方法(400)，其特征在于，所述分开(430)借助于激光束实现。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，为了分开(430)所述激光半导体晶片使用时间短的激光脉冲。