[发明专利]一种香料菊花的种植方法在审

专利信息
申请号: 201710282192.3 申请日: 2017-04-26
公开(公告)号: CN107079691A 公开(公告)日: 2017-08-22
发明(设计)人: 高卫宇 申请(专利权)人: 池州市神洲生态农业有限公司
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 安徽信拓律师事务所34117 代理人: 娄尔玉
地址: 247100 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 香料 菊花 种植 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及香料菊花种植技术领域,尤其涉及一种香料菊花的种植方法。

背景技术

菊花为菊科植物菊的头状花序。菊是多年生草本,为栽培品种,的一个品种,菊科春黄菊属,是一种名贵的高档天然香料,亦是名贵的天然保健植物,原产中欧、北美等地区,引入新疆种植,因当地日照时间长,光合作用强,雨水偏少,昼夜温差大,极有利于内在芳香油和有益物质的集成和积累,具有强烈愉快香气。该植物内在的辛辣和芳香,病虫不侵染,不使用农药。罗马甘菊的全株,特别是用水蒸气蒸馏花朵提取芳香精油含有当归酸、甲基丙烯酯、异丁酸正丁酯、正丁醇、异戊醇和春黄菊等成份。

发明内容

本发明的目的是提供一种香料菊花的种植方法,该方法通过整地、播种、繁殖、田间管理、采摘、加工步骤可以种植出高产的香料菊花,使得香料菊花不再受地域限制,有利于香料菊花的推广使用,而且可以对香料菊花进行大规模生产。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:

一种香料菊花的种植方法,包括以下步骤:

S1、整地:选择肥力高的土壤,土壤耕翻、耙平、去杂草、开沟做畦、做好排水,施足底肥;

S2、播种:在春季或秋季,种子与细沙混合进行播种,种子发芽5-8天,通过控制温度和湿度防止出苗后徒长,在真叶长出前,以喷雾器喷水为主,供给小苗所需水分,促进小苗扎根;

S3、繁殖:播种育苗后定植,定植采用打穴移植,移植后覆土压紧,浇一次定根水,植株间距为15-25厘米,每隔2-3个月施1次肥,并充分浇水;

S4、田间管理:菊花的生长前期,需剪苗3次,第1次从地面向上保留2-3厘米,第2次保留8-10厘米,第3次保留15厘米,在剪苗前3-4天施少量肥料;

S5、采摘:花朵刚刚绽放时,花朵展平稍有隆起时可采收,花柄不超过2厘米;

S6、加工:花朵采下后堆放不得超过2小时,否则易发热变质,应立即进行自然干燥或人工干燥。

进一步地,所述S1每亩施有机肥1000-2000kg。

进一步地,所述S1每亩施有机肥1500kg。

进一步地,所述S2小苗温度控制在8-25℃。

进一步地,所述S4施肥每亩用碳铵、磷肥各3-8kg浇施。

进一步地,所述S6温度控制在40-60℃。

本发明的有益效果:一种香料菊花的种植方法,该方法通过整地、播种、繁殖、田间管理、采摘、加工步骤可以种植出高产的香料菊花,不仅可以摆脱香料菊花生产的地域限制,有利于香料菊花的推广使用,而且可以对香料菊花进行大规模生产,有效地降低香料菊花的生产成本,提高了企业的市场竞争力。

附图说明

图1为本发明种植方法流程图。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。

具体实施时,结合图1本发明种植方法流程图,一种香料菊花的种植方法,包括以下步骤:

S1、整地:选择肥力高的土壤,土壤耕翻、耙平、去杂草、开沟做畦、做好排水,施足底肥,一般每亩施有机肥1000-2000kg,最好是每亩施有机肥1500kg;

S2、播种:在春季或秋季,种子非常细小,可与细沙混合进行播种,种子发芽5-8天,通过控制温度和湿度防止出苗后徒长,在真叶长出前,严防浇大水降低地温,以喷雾器喷水为主,供给小苗所需水分,促进小苗扎根,温度控制在8-25℃;

S3、繁殖:播种育苗后定植,定植采用打穴移植,移植后覆土压紧,浇一次定根水,植株间距为15-25厘米,每隔2-3个月施1次肥,并充分浇水;

S4、田间管理:菊花的生长前期,需剪苗3次,第1次从地面向上保留2-3厘米,第2次保留8-10厘米,第3次保留15厘米,在剪苗前3-4天施少量肥料,施肥每亩用碳铵、磷肥各3-8kg浇施;

S5、采摘:花朵刚刚绽放时,花朵展平稍有隆起时可采收,花柄不超过2厘米;

S6、加工:花朵采下后堆放不得超过2小时,否则易发热变质,应立即进行自然干燥或人工干燥,温度控制在40-60℃。

本发明香料菊花的种植方法,该方法通过整地、播种、繁殖、田间管理、采摘、加工步骤可以种植出高产的香料菊花,不仅可以摆脱香料菊花生产的地域限制,有利于香料菊花的推广使用,而且可以对香料菊花进行大规模生产,有效地降低香料菊花的生产成本,提高了企业的市场竞争力。

上面所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述,并非对本发明的构思和范围进行限定。在不脱离本发明设计构思的前提下,本领域普通人员对本发明的技术方案做出的各种变型和改进,均应落入到本发明的保护范围。

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