[发明专利]用于RRAM技术的金属接合方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

电阻式随机存取存储器件，布置在衬底上方并包括设置在下电极和上电极之间的介电数据存储层；

上互连线，接触所述上电极的上表面；

层间介电层，围绕所述电阻式随机存取存储器件和所述上互连线；

互连通孔，布置在所述上互连线和所述层间介电层上，其中，所述互连通孔从所述上互连线的一个或多个最外侧壁回缩；以及

第一互连线，布置在所述衬底上方，位于从所述上互连线横向偏移的所述层间介电层内的位置处，并且所述第一互连线的侧壁连续地在竖直方向上延伸至所述层间介电层的顶面，其中，所述第一互连线的上表面、所述上互连线的上表面和所述层间介电层的顶面共面，并且所述第一互连线的下表面与所述电阻式随机存取存储器件的下表面共面，

侧壁间隔件，沿着所述电阻式随机存取存储器件的侧壁布置，其中，所述侧壁间隔件横向布置在所述电阻式随机存取存储器件的侧壁和所述第一互连线之间；

蚀刻停止层，沿着所述侧壁间隔件延伸，其中，所述侧壁间隔件在所述蚀刻停止层的最上表面上方向外突出，

其中，所述侧壁间隔件的所述向外突出的部分高于所述上互连线的下表面而嵌入所述上互连线中，以将所述上互连线的内侧壁与所述上电极的侧壁横向地分开。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述上互连线延伸超出所述电阻式随机存取存储器件的相对最外侧壁。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一互连线具有比所述上互连线的高度大的高度。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述上互连线包括导电芯和沿着所述导电芯的下表面和侧壁布置的一个或多个衬垫层，并且所述导电芯的最低表面低于所述上电极的上表面。

5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述上互连线包括导电芯和沿着所述导电芯的下表面和侧壁布置的一个或多个衬垫层。

6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述上互连线在所述电阻式随机存取存储器件的所述上表面下方延伸。

7.根据权利要求1所述的集成芯片，

其中，所述上互连线具有限定位于所述上互连线的下表面内的凹槽的侧壁；以及

其中，所述电阻式随机存取存储器件嵌入在所述凹槽内。

8.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一互连线具有比所述上互连线的高度小的高度。

9.根据权利要求8所述的集成芯片，其中，所述第一互连线从所述层间介电层的底面延伸至所述层间介电层的所述顶面。

10.根据权利要求8所述的集成芯片，还包括：

沿着所述层间介电层的底面布置的第一蚀刻停止层和沿着所述层间介电层的所述顶面布置的第二蚀刻停止层，其中，所述层间介电层在所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层之间连续地延伸。