[发明专利]包括反熔丝结构的集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，所述集成电路在衬底(SB)的顶部上包括互连部分(PITX)，所述互连部分包括由绝缘区域(RIS)分隔开的多个金属化层级，所述集成电路在所述互连部分(PITX)内另外包括至少一个反熔丝结构(STR)，所述反熔丝结构涂覆有所述绝缘区域(RIS)的一部分，所述反熔丝结构包括：横梁(PTR)，所述横梁由两个臂(BR1A，BR1B)固持在两个不同点处；本体(BTA)；以及反熔丝绝缘区域(ZSF)，所述横梁(PTR)、所述本体(BTA)以及所述臂(BR1A，BR1B)是金属并且位于同一金属化层级(Mi)内，所述本体和所述横梁经由所述反熔丝绝缘区域(ZSF)相互接触，所述反熔丝绝缘区域被配置成用于在所述本体与所述横梁之间存在击穿电位差的情况下经受击穿。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述击穿电位差为5V。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述横梁(PTR)、所述两个臂(BR1A，BR1B)以及所述本体(BTA)包括第一金属，并且所述至少一个反熔丝绝缘区域(ZSF)包括所述第一金属的氧化物。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述氧化物包括氧化铝。

5.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述氧化物具有在7nm与8nm之间的厚度。

6.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述第一金属是铜或铝。

7.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述反熔丝绝缘区域(ZSF)的厚度至少等于2nm小于等于20nm。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述两个臂(BR1A，BR1B)基本平行于第一方向(DIR1)延伸，并且所述横梁(PTR)相对于与所述第一方向正交的第二方向(DIR2)具有非零角度偏差(a)。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中，

在所述横梁的两个相反面上，所述两个臂(BR1A，BR1B)分别固定到所述横梁上，

在所述横梁的中心部分附近，所述两个臂固定到所述横梁所处的两个固定点(EMPA，EMPB)在所述横梁的纵向方向上被间隔开。

10.根据权利要求1至9之一所述的集成电路，其中，所述本体包括支座，所述支座经由所述反熔丝绝缘区域(ZSF)与所述横梁(PTR)的两端之一进行接触。

11.根据权利要求1至9之一所述的集成电路，其中，所述反熔丝绝缘区域(ZSF)包括两个反熔丝部分(ZSFA，ZSFB)，所述本体包括两个支座(BTA，BTB)，所述支座经由所述两个反熔丝部分(ZSFA，ZSFB)分别与所述横梁(PTR)的两端进行接触，所述两个反熔丝部分中的至少一个反熔丝部分被配置成用于在所述支座中的至少一个支座与所述横梁之间存在所述击穿电位差的情况下经受击穿。

12.根据权利要求1至9之一所述的集成电路，所述集成电路包括多个反熔丝结构(STR0-STR8)。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述反熔丝结构中的至少一个反熔丝结构(STR0)包括已经经受击穿的反熔丝绝缘区域，并且所述反熔丝结构中的至少一个反熔丝结构(STR1)包括尚未经受击穿的反熔丝绝缘区域。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其中，已经经受击穿的所述反熔丝绝缘区域在所述横梁与支座之间具有30欧姆的电阻。