[发明专利]功能化阴极、QLED及制备方法、发光模组与显示装置

说明书

本发明公开功能化阴极、QLED及制备方法、发光模组与显示装置，方法包括步骤：首先在电子传输层上沉积一层巯基硅烷；然后在巯基硅烷层上蒸镀一层阴极，得到功能化阴极。本发明在电子传输层与金属电极之间修饰一层巯基硅烷，巯基硅烷中的硅氧键能与电子传输层连接，并钝化电子传输层的表面缺陷，而暴露在另一端的巯基能与金属电极以共价键紧密连接，一方面能够在金属电极沉积过程中作为金属的紧密的成核中心，逐渐生长出均匀规整的金属电极，另一方面能够促进电子传输层与金属电极之间的紧密连接，保持界面稳定性和界面性质，防止金属电极在电子层中的渗透、腐蚀、氧化或脱落，有效地提高电子注入效率以及QLED器件的寿命和稳定性。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种包含有电子传输层的功能化阴极、QLED器件及制备方法、发光模组与显示装置。

背景技术

近年来，具有纳米晶体尺寸的胶体量子点（Quantum dot, QD）作为一种新型高效率发光材料得到了广泛关注，其具有各种独特的光学特性，如禁带宽度易调谐、吸光光谱范围宽、光谱纯度高、光/化学性能稳定等。以量子点材料作为发光层的发光二极管称为量子点发光二极管（Quantum dot light-emitting diode, QLED），是一种新型的发光显示技术。在LED显示领域，QLED与目前研究较多的有机发光二极管（Organic light-emittingdiode, OLED）相比，显示出更大的优越性，如电光转换效率更高、寿命更长、生产成本低、能量消耗小、色彩纯度高等，在下一代显示技术中展现出巨大的潜力。

目前主流研究的QLED器件大多使用ZnO、TiO₂等宽带隙金属氧化物半导体材料作为电子传输层，并在电子传输层上通过热蒸镀等工艺沉积Ag、Al等金属，作为QLED器件的阴极。为了提高电子的注入效率和发光效率，阴极一般选用功函数尽可能低的材料或将性质活泼的低功函数金属和化学性能稳定的高功函数金属一起蒸镀形成金属阴极或合金电极，如Mg:Ag（10:1），Li:Al（0.6%Li）等。不过这种方法成本较高，且工艺相对复杂。此外，电子传输层与金属电极之间的界面对QLED器件性能及稳定性有较大的影响，如ZnO层与Al电极层的接触紧密程度，以及ZnO表面的缺陷状态等都会严重地影响到电子的注入效率。同时，金属电极中的金属原子容易渗透到ZnO中，在QLED器件运行过程中，这种渗透会加剧，并且金属电极容易脱落，电子传输层与电极之间的界面性质容易受到破坏，极大地影响了器件的稳定性和发光寿命。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种包含有电子传输层的功能化阴极、QLED器件及制备方法、发光模组与显示装置，旨在解决现有电子传输层与阴极之间的界面极大地影响了QLED器件性能及稳定性的问题。

本发明的技术方案如下：

一种包含有电子传输层的功能化阴极的制备方法，其中，包括步骤：

首先在电子传输层上沉积一层巯基硅烷；

然后在巯基硅烷层上蒸镀一层阴极，得到功能化阴极。

所述的包含有电子传输层的功能化阴极的制备方法，其中，还包括步骤：在阴极上沉积一层带-SH的烷基卤化铵。

所述的包含有电子传输层的功能化阴极的制备方法，其中，所述电子传输层的材料为ZnO、TiO₂、WO₃、NiO、MoO₃、Fe₂O₃、SnO₂、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO、InSnO中的一种或多种。