[发明专利]采用三阱型结构的具有去耦电容器的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，所述集成电路包括第一导电类型的半导体衬底(SB)以及所述第一导电类型的至少一个半导体阱(1)，所述至少一个半导体阱通过绝缘区域与所述衬底绝缘，所述绝缘区域具有：

-第一绝缘沟槽(2)，所述第一绝缘沟槽从所述衬底的第一面(FS)延伸到所述衬底(SB)中并且围绕所述至少一个半导体阱(1)，

-第二导电类型的掩埋半导体层(3)，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述半导体层掩埋在所述阱下方的所述衬底中，以及

-中间绝缘区，所述中间绝缘区被配置以便确保所述第一绝缘沟槽与所述掩埋半导体层之间的电绝缘连续性，

所述中间绝缘区包括第二沟槽(4)，所述第二沟槽具有围绕所述至少一个半导体阱(1)的至少一个外围部分(40)，所述外围部分(40)具有从所述衬底的所述第一面(FS)延伸同时与所述第一绝缘沟槽(2)接触的第一部分(410)，所述第一部分通过位于所述第一绝缘沟槽(2)与所述掩埋半导体层(3)之间的第二部分(420)延伸，所述至少一个第二沟槽(4)具有中央部分(430)，所述中央部分被配置以便导电并且被封闭在绝缘护套(440)中，

其中所述第二部分(420)的底部通过所述至少一个半导体阱(1)的一部分与所述掩埋半导体层(3)的顶部分开；并且

所述中间绝缘区还包括注入区(5)，所述注入区(5)被掺杂有所述第二导电类型，所述注入区(5)被定位在所述第二沟槽(4)与所述掩埋半导体层(3)之间的所述至少一个半导体阱(1)的所述一部分处，与所述绝缘护套(440)和所述掩埋半导体层(3)接触；

所述集成电路还包括：至少一个第一触点(CT1 )，所述至少一个第一触点被配置以便在所述中央部分(430)上是导电的；以及至少一个第二触点(CT2)，所述至少一个第二触点被配置以便在所述至少一个半导体阱(1)上是导电的。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述至少一个外围部分的所述第一部分完全位于所述第一绝缘沟槽(2)中。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述至少一个外围部分(40)的所述第一部分(410)完全位于所述至少一个半导体阱(1)与所述第一绝缘沟槽(2)之间。

4.根据以上权利要求中任一项所述的集成电路，其中，所述第二沟槽(4)具有至少一个附加支路(41)，所述至少一个附加支路连接至所述外围部分(40)并且延伸到所述至少一个半导体阱(1)内部。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述第二沟槽(4)具有多个并行附加支路(41)，所述多个并行附加支路连接至所述外围部分(40)并且延伸到所述至少一个半导体阱(1)内部。

6.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路包括存储器装置(DM)，所述存储器装置具有含有非易失性存储器单元(CEL)的存储器平面(PM)和具有掩埋栅极的选择晶体管(TSL)，所述第二沟槽(4)的深度(PR)基本上等于所述掩埋栅极的深度。

7.根据权利要求1、2、3、5和6中任一项所述的集成电路，其中，所述第一导电类型是P型并且所述第二导电类型是N型。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述中央部分形成电容器的第一电极，并且其中所述至少一个半导体阱形成所述电容器的第二电极。