[发明专利]一种转移制备二维原子晶体叠层结构的方法

权利要求书

1.一种转移制备二维原子晶体叠层结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.在衬底支撑的二维原子晶体表面旋涂一层强疏水的高分子薄膜，利用水的张力分离二维原子晶体薄膜；

S2.将二维原子晶体高分子薄膜叠层转移至二甲基硅氧烷聚合物上；

S3.将二维原子晶体复合体以范德华力贴合在目标材料上，通过加热方法分离所述二甲基硅氧烷聚合物；

S4.使用浸泡溶剂分解所述强疏水的高分子薄膜或者真空退火去除所述强疏水的高分子薄膜；

S1所述强疏水的高分子薄膜选自聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯。

2.根据权利要求1所述的转移制备二维原子晶体叠层结构的方法，其特征在于，将二维原子晶体和/或目标材料替换为二维氧化物纳米片。

3.根据权利要求2所述的转移制备二维原子晶体叠层结构的方法，其特征在于，所述二维原子晶体和目标材料分别选自石墨烯、二硫化钼、二硒化钼、二碲化钼、二硫化钨、二硒化钨、二碲化钨、氮化硼、黑磷中的任意一种；所述二维氧化物纳米片选自三氧化钼、五氧化二钒、二氧化钨、氧化铜、氧化镍、氧化铼，氧化钌中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的转移制备二维原子晶体叠层结构的方法，其特征在于，所述二维原子晶体和/或二维氧化物纳米片是单层或者两层，或者多层，所述二维原子晶体和/或二维氧化物纳米片的厚度为1nm～100nm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的转移制备二维原子晶体叠层结构的方法，其特征在于，S1所述衬底选自蓝宝石、硅片、二氧化硅/硅片、石英片。

6.根据权利要求1至4任一项所述的转移制备二维原子晶体叠层结构的方法，其特征在于，S3所述目标材料是平铺衬底上的二维材料，或者是悬空的孔，或者是特定图案，或者是电极。

7.根据权利要求1至4任一项所述的转移制备二维原子晶体叠层结构的方法，其特征在于，S3所述加热温度为100℃。