[发明专利]氧化锡电极推进量的获取方法和装置

说明书

本公开提出了一种氧化锡电极推进量的获取方法和装置，涉及玻璃制造领域，应用于玻璃窑炉，其特征在于，玻璃窑炉包括氧化锡电极和池壁砖，该方法包括：根据原材料中氧化锡的引入量、玻璃窑炉氧化锡的流出量、氧化锡的挥发量获取氧化锡电极的侵蚀量。根据氧化锆的流出量，获取池壁砖的侵蚀量。根据氧化锡电极的侵蚀量和池壁砖的侵蚀量，获取氧化锡电极相对于池壁砖的推进量。本公开能够使氧化锡电极与池壁砖保持平齐，提高玻璃窑炉的工作效率。

技术领域

本公开涉及玻璃制造领域，尤其涉及一种氧化锡电极推进量的获取方法和装置。

背景技术

在使用玻璃窑炉制造玻璃基板时，通过电极来加热来熔化原材料，而原材料中的氧化锡会对氧化锡电极暴露在窑炉中的部分造成侵蚀，因此需要推进氧化锡电极使玻璃窑炉能够正常工作。然而，玻璃窑炉的池壁砖在制造玻璃基板的过程中也会被侵蚀，使得推进后的氧化锡电极突出池壁砖。

发明内容

本公开提供一种氧化锡电极推进量的获取方法和装置，用以解决玻璃窑炉的池壁砖被侵蚀后，氧化锡电极推进量产生偏差的问题。

为了实现上述目的，根据本公开实施例的第一方面，提供一种氧化锡电极推进量的获取方法，应用于玻璃窑炉，其特征在于，所述玻璃窑炉包括氧化锡电极和池壁砖，所述方法包括：

根据原材料中氧化锡的引入量、所述玻璃窑炉氧化锡的流出量、氧化锡的挥发量获取所述氧化锡电极的侵蚀量；

根据所述氧化锆的流出量，获取所述池壁砖的侵蚀量；

根据所述氧化锡电极的侵蚀量和所述池壁砖的侵蚀量，获取所述氧化锡电极相对于所述池壁砖的推进量。

可选的，所述氧化锡电极为N组氧化锡电极，所述玻璃窑炉按照所述N组氧化锡电极划分为N个区，其中N为正整数；

所述根据原材料中氧化锡的引入量、所述玻璃窑炉氧化锡的流出量、氧化锡的挥发量获取所述氧化锡电极的侵蚀量，包括：

根据所述氧化锡的引入量、所述氧化锡的流出量、所述氧化锡的挥发量以及所述N个区中每个区的电极侵蚀比例系数，获取所述每个区的氧化锡电极侵蚀量；

所述根据所述氧化锆的流出量，获取所述池壁砖的侵蚀量，包括：

根据所述玻璃窑炉氧化锆的流出量和所述N个区中每个区的池壁砖侵蚀比例系数，获取所述每个区的池壁砖侵蚀量；

所述根据所述氧化锡电极的侵蚀量和所述池壁砖的侵蚀量，获取所述氧化锡电极相对于所述池壁砖的推进量，包括：

根据所述每个区的氧化锡电极侵蚀量和所述每个区的池壁砖侵蚀量，获取所述每个区的氧化锡电极相对于该区域的池壁砖的推进量。

可选的，所述根据所述氧化锡的引入量、所述氧化锡的流出量、所述氧化锡的挥发量以及所述N个区中每个区的电极侵蚀比例系数，获取所述每个区的氧化锡电极侵蚀量，包括：

根据所述氧化锡的引入量、所述氧化锡的流出量和所述氧化锡的挥发量，获取所述氧化锡电极组的总侵蚀量；

根据所述氧化锡电极组的总侵蚀量，以及所述N个区中每个区的电极侵蚀比例系数，获取所述每个区的氧化锡电极侵蚀量。

可选的，所述根据所述玻璃窑炉氧化锆的流出量和所述N个区中每个区的池壁砖侵蚀比例系数，获取所述每个区的池壁砖侵蚀量，包括：

根据所述氧化锆的流出量，获取所述池壁砖的总侵蚀量；

根据所述池壁砖的总侵蚀量，以及所述N个区中每个区的池壁砖侵蚀比例系数，获取所述每个区的池壁砖侵蚀量。

可选的，所述根据所述氧化锡的引入量、所述氧化锡的流出量和所述氧化锡的挥发量，获取所述氧化锡电极组的总侵蚀量，包括：