[发明专利]LED倒装芯片的制备方法

权利要求书

1.一种LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供具有n个芯片单元区域A1、A2······An的透光衬底(1001)，一个所述芯片单元区域为一个所述LED倒装芯片，其中，n≥1；

S2：在所述透光衬底(1001)上生长外延层；

S3：在各所述芯片单元区域上同时刻蚀出隔离沟槽(1002)以及至少一个N电极沟槽(1003)以形成Mesa平台(1004)；

S4：在所述Mesa平台(1004)之上形成欧姆接触层(1005)；

S5：在所述欧姆接触层(1005)之上形成至少一个P-finger(1006)，在各所述N电极沟槽(1003)之上分别制作一个N-finger(1007)；

S6：在S5之后的整个芯片表面形成高反绝缘层(1008)；

S7：图形化所述高反绝缘层(1008)以在至少一个所述P-finger(1006)之上形成P导电通道(1009)，在至少一个所述N-finger(1007)之上形成N导电通道(1010)；

S8：制作覆盖全部所述P导电通道(1009)和全部所述N导电通道(1010)的P焊垫(1011)和N焊垫(1012)；

S9：将各所述LED倒装芯片制作成chip。

2.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述外延层自下而上依次为缓冲层Buffer(1013)、N型半导体层N-GaN(1014)、发光层MQW(1015)和P型半导体层P-GaN(1016)。

3.根据权利要求2所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述N电极沟槽(1003)和所述隔离沟槽(1002)的底部均位于所述N-GaN(1014)的上下表面之间。

4.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，在所述S3中，所述隔离沟槽(1002)位于各所述芯片单元区域的边缘四周，每个所述芯片单元区域中除所述N电极沟槽(1003)和所述隔离沟槽以外的区域为所述Mesa平台(1004)。

5.根据权利要求1所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，在所述S4中，所述欧姆接触层(1005)的边缘与所述Mesa平台(1004)的边缘之间具有第一预设间距d1；

和/或，在所述S5中，各所述N-finger(1007)的边缘与对应的各所述N电极沟槽(1003)的边缘之间具有第二预设间距d2。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，在所述S9中，包含以下子步骤：

S9-1：对所述透光衬底(1001)进行研磨抛光；

S9-2：激光划裂所述经过研磨抛光后的透光衬底(1001)，以将各所述LED倒装芯片分割成倒装chip。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，在所述S9中，包含以下子步骤：

S9-1：对所述透光衬底(1001)进行研磨抛光；

S9-2：将所述经过研磨抛光后的透光衬底(1001)进行表面粗化；

S9-3：激光划裂所述经过表面粗化后的透光衬底(1001)，以将各所述LED倒装芯片分割成出光面粗化的倒装chip。

8.根据权利要求1～5中任一项所述的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，在所述S9中，包含以下子步骤：

S9-1：对所述透光衬底(1001)进行研磨抛光；

S9-2：通过激光剥离去除所述经过研磨抛光后的透光衬底(1001)；

S9-3：通过激光划裂将各所述LED倒装芯片分割成薄膜倒装chip。