[发明专利]微型发光二极管的转移方法及微型发光二极管转移装置有效
申请号: | 201710286407.9 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN108807213B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 向瑞杰;陈志强 | 申请(专利权)人: | 宏碁股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/78;H01L33/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 转移 方法 装置 | ||
1.一种微型发光二极管的转移方法,其特征在于,包括:
提供载体基板,所述载体基板上设置有多个第一电极以及多个微型发光二极管,其中所述多个微型发光二极管彼此分离且分别与所述多个第一电极电性连接;
令接收基板与所述载体基板相对靠近,所述接收基板上设置有多个第二电极,且所述多个第二电极与所述多个第一电极电性相反;以及
施加第一电压与第二电压至相邻的两所述多个第一电极的一部分,而使所述多个微型发光二极管从所述载体基板释放到所述接收基板并接合至所述接收基板上,其中所述第一电压不同于所述第二电压。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移方法,其特征在于,所述第一电压与所述第二电压电性相同或相反。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移方法,其特征在于,所述载体基板具有彼此相对的第一表面与第二表面,所述第二表面相对邻近所述接收基板,而所述多个微型发光二极管配置于所述第二表面上,且所述多个第一电极配置于所述第一表面上或者所述第二表面上,或者所述多个第一电极的一部分配置于所述第一表面上,而所述多个第一电极的另一部分配置于所述第二表面上。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移方法,其特征在于,所述接收基板具有彼此相对的第三表面与第四表面,所述第四表面相对邻近所述载体基板,而所述多个第二电极配置于所述第三表面上或者所述第四表面上,或者所述多个第二电极的一部分配置于所述第三表面上,而所述多个第二电极的另一部分配置于所述第四表面上。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移方法,其特征在于,所述接收基板上还设置有多个转移头,且所述多个转移头分别直接接触所述多个微型发光二极管。
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移方法,其特征在于,还包括:
于施加所述第一电压与所述第二电压至相邻的两所述多个第一电极的所述部分的同时,施加第三电压与第四电压至相邻的两所述多个第二电极的一部分。
7.一种微型发光二极管转移装置,其特征在于,包括:
载体基板,适于承载多个微型发光二极管且包括多个第一电极,其中所述多个微型发光二极管彼此分离且分别与所述多个第一电极电性连接,而相邻两所述多个第一电极的一部分适于接收第一电压与第二电压,且所述第一电压不同于所述第二电压;以及
接收基板,包括多个第二电极,其中所述多个第二电极与所述多个第一电极电性相反。
8.根据权利要求7所述的微型发光二极管转移装置,其特征在于,所述第一电压与所述第二电压电性相同或相反。
9.根据权利要求7所述的微型发光二极管转移装置,其特征在于,所述载体基板具有彼此相对的第一表面与第二表面,所述第二表面相对邻近所述接收基板,而所述多个微型发光二极管配置于所述第二表面上,且所述多个第一电极配置于所述第一表面上或者所述第二表面上,或者所述多个第一电极的一部分配置于所述第一表面上,而所述多个第一电极的另一部分配置于所述第二表面上。
10.根据权利要求7所述的微型发光二极管转移装置,其特征在于,所述接收基板具有彼此相对的第三表面与第四表面,所述第四表面相对邻近所述载体基板,而所述多个第二电极配置于所述第三表面上或者所述第四表面上,或者所述多个第二电极的一部分配置于所述第三表面上,而所述多个第二电极的另一部分配置于所述第四表面上。
11.根据权利要求7所述的微型发光二极管转移装置,其特征在于,所述接收基板上还设置有多个转移头,且所述多个转移头分别直接接触所述多个微型发光二极管。
12.根据权利要求7所述的微型发光二极管转移装置,其特征在于,所述载体基板为蓝宝石基板,而所述接收基板为玻璃基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造