[发明专利]一种方形晶片加工装置及其工作方法

说明书

本发明涉及一种方形晶片加工装置，包括座体、罩体、涂胶装置、抽真空装置、IPC刻蚀装置和胶水去边装置；所述座体包括支撑台、设置在支撑台上的托盘和设置在托盘上可吸附晶片的转盘；转盘由一第一电机驱动转动；所述罩体由一第一液压驱动装置驱动升降，罩体底部可与支撑台密封配合；罩体上设置有进气阀；所述涂胶装置包括水平设置可伸缩的进胶管和设置在进胶管一端位于罩体内的出胶口；本发明功能集成化，有效减少成本、加工时间以及操作人数，并且可以排除空气对晶片涂胶的影响，使方形晶片涂胶更均匀，能够自动实现胶层的平整，使刻蚀更均匀，并且还有方便拆卸的工装，有效提高效率。

技术领域

本发明涉及一种方形晶片加工装置，属于晶片设备领域。

背景技术

晶片加工过程需要涂胶、刮胶以及IPC刻蚀，现有的晶片加工该工艺由不同的设备实现，成本高，耗时长，并且现有的涂胶机是非真空涂胶，把晶片放在转盘上进行常压的密闭或半密闭涂胶，该涂胶过程常见的问题为由于空气动力学的原因，对方形晶片涂胶时，方形晶片的四个角无法实现均匀涂胶，圆形晶片不会出现这种情况。现有的解决办法是利用喷胶机将光刻胶雾化，对基片进行喷涂，或加工一个与方形基片大小一致的内凹型圆吸盘，将方形基片嵌入，使之与吸盘形成一个整体。前者设备较昂贵且难以实现薄胶的均匀雾化喷涂，后者每次涂胶后均需清洗吸盘，且由于基片与吸盘无法无缝对接，亦无法完全满足均匀涂胶；此外，由于离心力的影响，使得涂覆的胶水外边缘凸起，在后续的工序中需将掩膜板盖在晶体上，由于凸起的形成，使得掩膜板与晶体间出现了间隙，该间隙造成曝光区域变大。现有技术中为了消除凸起，采用的方法是在涂胶后，将胶水烘干，继而人工用刀具刮除凸起部分。用刀具刮除胶水凸起效率低且品质不易把控。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种方形晶片加工装置及其工作方法；本发明功能集成化，有效减少成本、加工时间以及操作人数，并且可以排除空气对晶片涂胶的影响，使方形晶片涂胶更均匀，能够自动实现胶层的平整，使刻蚀更均匀，并且还有方便拆卸的工装，有效提高效率。

本发明的技术方案如下：

一种方形晶片加工装置，包括座体、罩体、涂胶装置、抽真空装置、IPC刻蚀装置和胶水去边装置；所述座体包括支撑台、设置在支撑台上的托盘和设置在托盘上可吸附晶片的转盘；转盘由一第一电机驱动转动；所述罩体由一第一液压驱动装置驱动升降，罩体底部可与支撑台密封配合；罩体上设置有进气阀；所述涂胶装置包括水平设置可伸缩的进胶管和设置在进胶管一端位于罩体内的出胶口；所述进胶管一端密封滑动穿入罩体内，另一端连通一进胶装置；所述抽真空装置包括设置在罩体外的抽真空泵和抽真空管；抽真空管一端连接抽真空泵，另一端固定在罩体上且连通罩体内空间；所述IPC刻蚀装置包括设置在罩体内顶端的工作气体进气口和功率源；所述胶水去边装置包括设置在罩体内的刮胶装置，所述刮胶装置包括水平设置在罩体内可伸缩的操作臂、固定于操作臂自由端的溶剂喷头以及与溶剂喷头连通的溶剂喷雾装置。

其中，所述支撑台上设置有一与托盘配合的凹槽；托盘由一设置在凹槽底部的第二液压驱动装置驱动升降，使托盘的位置可在凹槽内外切换；所述凹槽顶部设置有开合板；开合板与凹槽密封配合，开合板上设置有可缓慢向凹槽内漏气的单向稳压阀；所述支撑台上设置有卡槽；卡槽内设置有密封垫片；卡槽与罩体下端密封配合。

其中，所述底座侧壁上设置有观察窗；所述观察窗上贴覆有减光膜；所述转盘外圆周面上设置有外齿；所述第一电机的转轴上固定有与外齿配合的齿轮；所述托盘包括上盘、下盘以及设置在上盘和下盘之间的圆形电致伸缩层；所述电致伸缩层由多块相同的电致伸缩扇形拼接而成；电致伸缩扇形分别由一电路控制沿厚度方向伸缩。

其中，所述溶剂喷头与操作臂交界处下方竖直设置有一与溶剂喷头等宽度的隔离挡板，所述隔离挡板其中一端设有一延伸部，所述延伸部上连接有擦胶辊筒，所述擦胶辊筒表面覆盖有吸水性材料。