[发明专利]制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，其特征在于所述方法包括

在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；

其中，形成所述顶栅电极的操作包括

在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；

基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；

在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述底栅电极包括反光材料，所述底栅电极对曝光光线的反射使得与所述底栅电极对应的光刻胶层经历再次曝光。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述光刻胶层是正性光刻胶，与所述底栅电极对应的光刻胶层厚度为3000至其余位置的光刻胶层厚度为曝光能量范围在1.3W/cm²至3.5W/cm²。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述光刻胶层是正性光刻胶，与所述底栅电极对应的光刻胶层厚度为1μm至1.2μm，其他位置的光刻胶层厚度为1.2μm至1.4μm，进行曝光的光源波长为370nm至450nm；曝光能量范围在4W/cm²至10W/cm²。

5.如权利要求2所述的方法，其中所述底栅电极的材料包括钼、铜、铝、钛、铬、导电金属氧化物或其他反光的导电材料中的一种或多种的组合。

6.如权利要求1至5中任一所述的方法，其中所述有源层包括氧化锌、氧化铟或其他透明金属氧化物半导体材料，并且所述有源层的厚度是5nm至200nm。

7.如权利要求1至5中任一所述的方法，还包括，在所述底栅介质层上形成所述有源层后对所述有源层图形化形成有源区；形成所述顶栅介质层包括在所述有源区以及所述底栅介质层上形成所述顶栅介质层。

8.如权利要求1至5中任一所述的方法，还包括，在所述底栅介质层上形成所述有源层后，在所述有源层上形成第一顶栅介质层，对所述有源层和所述第一顶栅介质层图形化以形成有源区，在经图形化的第一顶栅介质层和所述底栅介质层上形成第二顶栅介质层，所述第二顶栅介质层覆盖所述有源区和所述第一顶栅介质层的侧表面；其中所述顶栅介质层包括所述第一顶栅介质层和所述第二顶栅介质层。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第一顶栅介质层的厚度为100nm，并且所述第二顶栅介质层的厚度为100nm。

10.如权利要求7所述的方法，还包括在所述有源区和所述顶栅电极上形成掺杂材料层，并通过在氧气氛中的退火操作对所述有源层进行掺杂，其中掺杂材料层包括铝、钛、硼中的一种或多种。

11.如权利要求1至5中任一所述的方法，其中所述有源层包括氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化锌锡，氧化铪铟锌、氧化铟锡或其他透明多元金属氧化物半导体材料，并且所述有源层的厚度是5nm至200nm。