[发明专利]一种显示基板的制备方法、显示基板、显示装置在审
申请号: | 201710287363.1 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN107132706A | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 鲍俊;程磊磊;王东方;苏同上 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件及其制造技术领域,尤其涉及一种显示基板的制备方法、显示基板、显示装置。
背景技术
随着大尺寸显示面板需求量的不断增加,大尺寸显示面板的显示质量也越来越受到重视。影响大尺寸显示面板显示质量的重要因素之一即为显示面板中栅电极、源电极和漏电极等电极的电阻率,以及显示面板中信号传输线的电阻率,为了避免电极和信号传输线的电阻率对显示质量产生的影响,现有技术中采用电阻率较小的铜作为大尺寸显示面板中电极和信号传输线的布线材料,以形成满足显示质量要求的铜制程显示面板。
但由于铜制程显示面板中的部分铜电极和铜信号传输线会与显示面板中的像素电极以及公共电极接触,而制作像素电极和公共电极的常用材料为铟锡材料,铟锡材料与铜电极或铜信号传输线接触时,容易使铜发生氧化,导致铜电极或铜信号传输线的电阻率增高,影响铜制程显示面板的显示画面质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板的制备方法、显示基板、显示装置,用于解决由于显示装置中铜电极或铜信号传输线易被氧化,导致的影响铜制程显示面板显示画面质量的问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种显示基板的制备方法,包括:制备石墨烯与银纳米线的混合溶液;利用所述混合溶液,采用涂覆技术或喷墨打印技术形成所述显示基板的透明导电电极。
进一步的,所述制备石墨烯与银纳米线的混合溶液具体包括:按照每平方毫米的固体石墨烯对应(0.63×104-9.3×104)根银纳米线的比例,将石墨烯、银纳米线与溶剂混合,形成所述混合溶液。
进一步的,所述溶剂为乙醇或去离子水。
进一步的,采用涂覆技术形成所述显示基板的透明导电电极包括:利用所述混合溶液,采用喷涂或旋涂工艺形成透明导电薄膜;固化所述透明导电薄膜,形成固化后的透明导电薄膜;对所述固化后的透明导电薄膜进行构图,形成所述显示基板的透明导电电极。
进一步的,采用喷墨打印技术形成所述显示基板的透明导电电极包括:采用喷墨打印技术工艺形成透明导电薄膜的图形;固化所述透明导电薄膜的图形,以形成所述显示基板的透明导电电极。
进一步的,所述显示基板为阵列基板,所述透明导电电极为阵列基板上的像素电极,在形成所述透明导电电极之后,所述制备方法还包括:在所述像素电极上形成第一配向层;
或,所述显示基板为彩膜基板,所述透明导电电极为阵列基板上的公共电极,在形成所述透明导电电极之后,所述制备方法还包括:在所述公共电极上形成第二配向层。
进一步的,所述显示基板的方法还包括:采用铜制备所述显示基板的薄膜晶体管的电极和信号传输线。
基于上述显示基板的制备方法的技术方案,本发明的第二方面提供一种显示基板,采用上述显示基板的制备方法得到。
进一步的,所述显示基板中的透明导电电极为像素电极和/或公共电极。
基于上述显示基板的技术方案,本发明的第三方面提供一种显示装置,包括上述显示基板。
本发明提供的显示基板的制备方法中,利用石墨烯与银纳米线的混合溶液,采用涂覆技术或喷墨打印技术形成显示基板的透明导电电极。由于石墨烯材料具有平整度好、化学性能稳定、功函数可调、柔韧性好、载流子迁移率高和可见光波段透光性好等特点,银纳米线具有方块电阻小、柔韧性好和可见光波段透光性好等特点,因此,采用石墨烯和银纳米线的混合溶液形成的透明导电电极,能够兼具两种材料的优点,使形成的透明导电电极具有柔韧性好、透光性好、方块电阻能够达到应用需求、以及不易发生离子扩散等特点,这样当采用石墨烯和银纳米线的混合溶液形成的透明导电电极与铜电极或铜信号传输线接触时,不易导致铜电极或铜信号传输线发生氧化,保证了铜制程显示面板的显示画面质量。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例提供的采用涂覆技术形成透明导电电极的流程图;
图2为本发明实施例提供的采用喷墨打印技术形成透明导电电极的流程图;
图3为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
附图标记:
1-铜制程阵列基板,2-像素电极,
3-第一配向层,4-液晶层,
5-第二配向层,6-公共电极,
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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