[发明专利]具有带界面增强层的半导体存储器的电子设备

说明书

本技术提供一种电子设备。根据本文件的实施方式的电子设备可以包括用于储存数据的半导体存储器，并且半导体存储器可以包括自由层，其具有可变磁化方向；钉扎层，其具有钉扎磁化方向；隧道阻挡层，其介于自由层和钉扎层之间；以及界面增强层，其介于隧道阻挡层和钉扎层之间，并包括导电的多层层叠结构，以增强半导体存储器的磁特性，其中界面增强层可以包括：富Fe的第一层；富Co的第二层，其形成在第一层之上；以及金属层，其形成在第二层之上。

相关申请的交叉引用

本专利文件要求2016年5月12日提交的题为“电子设备”、申请号为10-2016-0058277的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本专利文件涉及存储电路或存储器件及其在电子设备或系统中的应用。

背景技术

近来，随着电子设备或电子装置趋向于小型化、低功耗、高性能、多功能等，需要能够在各种电子设备或电子装置(诸如计算机、便携式通信设备等)中储存信息的电子设备，并且已经对这种电子设备进行了研究和开发。这种电子设备的示例包括可以使用根据施加的电压或电流在不同电阻状态之间切换的特性来储存数据的电子设备，并且可以以各种配置(例如，RRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电式随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、电熔丝等)来实现。

发明内容

在本专利文件中公开的技术包括存储电路或存储器件及其在电子设备或电子系统中的应用以及电子设备的各种实施方式，其中电子设备包括可以改善可变电阻元件的特性的半导体存储器。

在一方面，电子设备可以包括用于储存数据的半导体存储器，并且半导体存储器可以包括自由层，其具有可变磁化方向；钉扎层，其具有钉扎磁化方向；隧道阻挡层，其介于自由层和钉扎层之间；以及界面增强层，其介于隧道阻挡层和钉扎层之间，其中界面增强层可以包括：富Fe的第一层；富Co的第二层，其形成在第一层之上；以及金属层，其形成在第二层之上。

上述电子设备的实施方式可以包括以下的一个或更多个。

第一层可以包括富Fe的CoFeB合金。富Fe的CoFeB合金包括等于或大于35at％的Fe含量。第二层可以包括富Co的CoFeB合金。富Co的FeFeB合金包括等于或大于35at％的Co含量。金属层可以包括钽(Ta)。第一层和第二层还可以包括非磁性材料。非磁性材料可以包括锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、钌、钛(Ti)、铪(Hf)、钒(V)、铬(Cr)、铝(Al)、铱(Ir)或铑(Rh)中的一种或更多种。

电子设备还可以包括微处理器，该微处理器包括：控制单元，其被配置为从微处理器的外部接收包括命令的信号，并且执行命令的提取、解码，或控制微处理器的信号的输入或输出；操作单元，其被配置为基于控制单元对命令进行解码的结果来执行操作；以及存储单元，其被配置为储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或者对其执行操作的数据的地址，其中半导体存储器是在微处理器中的存储单元的部分。

电子设备还可以包括处理器，该处理器包括：核心单元，其被配置为基于从处理器的外部输入的命令，通过使用数据来执行与命令相对应的操作；高速缓冲存储单元，其被配置为储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或者对其执行操作的数据的地址；以及总线接口，其连接在核心单元和高速缓冲存储单元之间，并且被配置为在核心单元和高速缓冲存储单元之间传输数据，其中半导体存储器是在处理器中的高速缓冲存储单元的部分。