[发明专利]一种导电膜的制备方法

说明书

本发明提供了一种柔性导电膜，所述导电膜包含基材层，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，包含如下步骤：S1，将第一保护膜与所述第一光学面贴合；S2，在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成第一硬化层；S3，在所述第一硬化层表面溅射二氧化硅层；S4，在所述二氧化硅层表面溅射导电层。该制备方法能有效解决以COP为基材的导电膜在涂布和溅射时出现的收卷和放卷过程中COP基材断裂的技术问题，通过上述方法能有效的在涂布和溅射过程中用保护膜的柔韧性来对基材进行保护。

技术领域：

本发明涉及导电膜领域，具体涉及导电膜的制备方法。

背景技术：

ITO导电膜主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产、薄膜太阳能电池的透明电极、电致变色器件的电极材料、薄膜开关等领域，通产采用涂布加磁控溅射的方法生产得到。

传统的高分子基材ITO膜虽然能够弯曲，但需要折射率调整层和光学调整层进行高低折射率匹配后再与高折射率的ITO层进行折射率匹配，且消影效果相对于OGS结构差，且多增加了一层光学调整层其透过率也相应降低。传统保护膜的作用是对成品的膜面进行保护，不会在涂布工艺过程中来防护基材的断裂，通常直接在基材表面设置保护层，设置的该保护层会导致成品导电膜的透过率变差。

发明内容：

本发明的目的提供了一种ITO膜的制备方法，能有效解决基材在涂布和溅射过程中出现的收卷和放卷过程中断裂的技术问题，在涂布和溅射时用保护膜的柔韧性来对基材进行保护。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：

一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其制备方法包含如下步骤：

S1，将第一保护膜与所述第一光学面贴合；

S2，在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成第一硬化层；

S3，在所述第一硬化层表面溅射二氧化硅层；

S4，在所述二氧化硅层表面溅射导电层。

一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其制备方法包含如下步骤：

S1，将第一保护膜与所述第一光学面贴合；

S2，在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成第一硬化层；

S3，在所述第一硬化层表面与第二保护膜贴合；

S4，撕除所述第一保护膜，在所述第一光学面上涂布第二硬化胶水，UV固化后形成第二硬化层；

S5，在第二硬化层上贴合第三保护膜；

S6，撕除所述第二保护膜在所述第一硬化层表面溅射二氧化硅层；

S7，在所述二氧化硅层表面溅射导电层。

一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其制备方法包含如下步骤：

S1，将第一保护膜与所述第一光学面贴合；

S2，在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成第一硬化层；

S3，在所述第一硬化层表面与第二保护膜贴合；

S4，撕除所述第一保护膜，在所述第一光学面上涂布第二硬化胶水，UV固化后形成第二硬化层；

S5，在第二硬化层上贴合第三保护膜；

S6，撕除所述第二保护膜在所述第一硬化层表面溅射第一二氧化硅层；

S7，在所述二氧化硅层表面溅射第一导电层。