[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201710288579.X | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN107039549A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 余鹏;王志明;王文昊;巫江;牛晓滨;姬海宁 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;余鹏 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237 | 代理人: | 李华,温黎娟 |
地址: | 610041 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池,包括:外延片,其特征在于,所述外延片包括由下往上依次设置的衬底、背电极层、光吸收层和正面电极层;所述外延片一侧或两侧设有壳核纳米结构层。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述壳核纳米结构层由壳核纳米颗粒形成。
3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述壳核纳米颗粒包括:内核和外壳;所述内核为Au、Ag、Al或Cu,所述外壳为绝缘体、半导体。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述外延片的上侧设有所述壳核纳米结构层,所述壳核纳米结构层紧贴所述正面电极层。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述光吸收层包括p型半导体层、n型半导体层中至少一种。
6.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述p型半导体层为铜铟镓硒半导体层、III-V族化合物半导体层、硅半导体层;所述n型半导体层为铜铟镓硒半导体层、III-V族化合物半导体层、硅半导体层。
7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述光吸收层和所述正面电极层之间设置减反射层。
8.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述减反射层为Si3N4反射层。
9.一种薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:在衬底上依次形成背电极层、光吸收层和正面电极层,得到外延片;在所述外延片的一侧或两侧耦合壳核纳米颗粒,得到所述薄膜太阳能电池。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,还包括以Au、Ag、Al或Cu为内核材料,以绝缘体或半导体为外壳材料,采用液相还原法、溶剂热合成法或合成法合成所述壳核纳米颗粒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的