[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710288579.X 申请日: 2017-05-25
公开(公告)号: CN107039549A 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 余鹏;王志明;王文昊;巫江;牛晓滨;姬海宁 申请(专利权)人: 电子科技大学;余鹏
主分类号: H01L31/0445 分类号: H01L31/0445;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237 代理人: 李华,温黎娟
地址: 610041 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜太阳能电池,包括:外延片,其特征在于,所述外延片包括由下往上依次设置的衬底、背电极层、光吸收层和正面电极层;所述外延片一侧或两侧设有壳核纳米结构层。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述壳核纳米结构层由壳核纳米颗粒形成。

3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述壳核纳米颗粒包括:内核和外壳;所述内核为Au、Ag、Al或Cu,所述外壳为绝缘体、半导体。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述外延片的上侧设有所述壳核纳米结构层,所述壳核纳米结构层紧贴所述正面电极层。

5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述光吸收层包括p型半导体层、n型半导体层中至少一种。

6.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述p型半导体层为铜铟镓硒半导体层、III-V族化合物半导体层、硅半导体层;所述n型半导体层为铜铟镓硒半导体层、III-V族化合物半导体层、硅半导体层。

7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述光吸收层和所述正面电极层之间设置减反射层。

8.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述减反射层为Si3N4反射层。

9.一种薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:在衬底上依次形成背电极层、光吸收层和正面电极层,得到外延片;在所述外延片的一侧或两侧耦合壳核纳米颗粒,得到所述薄膜太阳能电池。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,还包括以Au、Ag、Al或Cu为内核材料,以绝缘体或半导体为外壳材料,采用液相还原法、溶剂热合成法或合成法合成所述壳核纳米颗粒。

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