[发明专利]多组分涂层组成物、其形成方法和半导体工艺腔室部件

权利要求书

1.一种用于在半导体工艺腔室部件上形成多组分组成物的方法，所述方法包括：

将氧化钇或氟化钇的第一膜层直接沉积到未被涂布的半导体工艺腔室部件的暴露表面上，其中所述第一膜层使用原子层沉积工艺由至少两种前体来生长，且其中所述第一膜层具有两个单层到0.9-1.1微米的厚度；

将氟化物的第二膜层沉积到所述半导体工艺腔室部件的所述表面上，其中所述第二膜层使用所述原子层沉积工艺由至少两种额外前体来生长，且其中所述第二膜层具有两个单层到0.9-1.1微米的厚度；以及

通过退火形成包括所述第一膜层和所述第二膜层的多组分组成物，其中所述多组分组成物是所述第一膜层和所述第二膜层的互相扩散的固态相，且其中所述多组分组成物是同质的组成物。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述多组分组成物包括使包含所述第一膜层和所述第二膜层的所述半导体工艺腔室部件退火。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一膜层与所述第二膜层不同。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

使用所述原子层沉积工艺沉积至少一个额外膜层，所述至少一个额外膜层包括氧化铝或氧化锆，其中所述至少一个额外膜层由至少一种额外前体来生长。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层在所述第二膜层的沉积之前被沉积，以及其中所述第二膜层被沉积在所述第一膜层上。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层包括氧化钇，其中所述两种前体中的第一种前体包括三(N,N-双(三甲基甲硅烷基)酰胺)钇(III)、三(环戊二烯基)钇(III)、三(丁基环戊二烯基)钇(III)、或三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钇(III)中的至少一种，以及其中所述两种前体中的第二种前体包括H₂O、O₂、或O₃中的至少一种。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层包括氟化钇，其中所述两种前体包括三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钇(III)和TiF₄。

8.如权利要求1所述的方法，其中在形成所述同质的多组分组成物之前，所述多组分组成物包括所述至少一个第一膜层和所述至少一个第二膜层的交替的完整的层。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层具有与所述第二膜层不同的厚度。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层和所述第二膜层具有相同的厚度。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述多组分组成物包括YO_xF_y，其中x和y是从1到100的独立整数。

12.一种被涂布的半导体工艺腔室部件，包括；

具有表面的半导体工艺腔室部件；以及

被涂布在所述表面上的多组分涂层，所述多组分涂层包括：

至少一个第一膜层和至少一个第二膜层的同质的互相扩散的固态相，其中

所述至少一个第一膜层包括使用原子层沉积工艺涂布到所述表面上的氧化钇或氟化钇且具有两个单层到1微米的厚度，并且

氟化物的所述至少一个第二膜层使用原子层沉积工艺被涂布到所述表面上且具有两个单层到1微米的厚度。

13.如权利要求12所述的被涂布的半导体工艺腔室部件，其中所述多组分涂层包括至少一个第一膜层、至少一个第二膜层和至少一个额外膜层的同质的互相扩散的固态相，其中所述至少一个额外膜层包括使用原子层沉积工艺涂布到所述表面上的氧化铝或氧化锆。