[发明专利]FINFET及形成FINFET的方法

权利要求书

1.一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：

在衬底上方形成多层叠件，所述多层叠件包括交替的第一层和第二层；

图案化所述多层叠件以形成鳍；

形成围绕所述鳍的隔离区，所述鳍的上部在所述隔离区的顶面之上延伸；

在所述鳍的所述上部的侧壁和顶面上形成栅叠件，所述栅叠件限定所述鳍的沟道区；

从所述鳍去除所述栅叠件限定的所述鳍的所述沟道区外的所述第一层，以在所述鳍的剩余的第二层之间形成空隙，其中，在去除所述第一层之后，所述鳍的所述沟道区包括所述第一层和所述第二层两者；以及

从所述鳍中去除所述栅叠件外的所述第二层，去除所述第二层在所述鳍中形成凹槽，其中，在去除所述第二层之后，所述鳍的所述沟道区包括所述第一层和所述第二层两者。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第二层包括各向异性蚀刻所述第二层。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述鳍的所述凹槽中外延生长源极/漏极区。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述第一层均是压缩应变的，并且每个所述第二层均是拉伸应变的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述第一层均是拉伸应变的，并且每个所述第二层均是压缩应变的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多层叠件包括应变层。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

图案化所述多层叠件以形成多个鳍；以及

实施鳍切割工艺以去除所述多个鳍中的一些，其中，在所述鳍切割工艺之后，保留至少一个所述鳍。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述鳍中去除所述栅叠件外的所述第一层包括在所述栅叠件外选择性地蚀刻所述第一层。

9.一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：

在衬底上方形成鳍，所述鳍包括交替的第一层和第二层；

形成围绕所述鳍的隔离区，所述鳍的上部在所述隔离区的顶面之上延伸；

在所述鳍的所述上部的侧壁和顶面上形成第一栅叠件，所述第一栅叠件限定所述鳍的沟道区；

从所述鳍选择性地去除所述第一栅叠件限定的所述鳍的所述沟道区外的所述第一层，以在所述鳍的剩余的第二层之间形成空隙；以及

从所述鳍去除所述第一栅叠件外的所述第二层以在所述鳍中形成凹槽，其中，在去除所述第二层之后，所述鳍的所述沟道区包括所述第一层和所述第二层两者。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述鳍的所述凹槽中外延生长源极/漏极区。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述衬底上方形成多个鳍；以及

实施鳍切割工艺以去除所述多个鳍中的一些，其中，在所述鳍切割工艺之后，保留至少一个所述鳍。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括：

用第二栅叠件替代所述第一栅叠件。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，每个所述第一层均是压缩应变的，并且每个所述第二层均是拉伸应变的。