[发明专利]具有银纳米层的粗糙引线框

权利要求书

1.一种引线框半导体封装体，包括：

裸片焊盘，所述裸片焊盘具有粗糙化表面、在所述裸片焊盘的所述粗糙化表面的至少一部分上的Ag纳米层以及在所述Ag纳米层的至少一部分上的Ag微米层，所述裸片焊盘的外周边上的所述Ag纳米层从所述Ag微米层保持暴露；

包括Pb的焊料材料，所述焊料材料在所述Ag微米层上；

半导体芯片，所述半导体芯片通过所述焊料材料耦合到所述Ag微米层；

至少一条引线；以及

导电线，所述导电线具有耦合到所述半导体芯片的键合焊盘的第一端以及耦合到所述至少一条引线的第二端。

2.如权利要求1所述的引线框半导体封装体，其中，所述裸片焊盘和至少一条引线包括铜或铜合金。

3.如权利要求1所述的引线框半导体封装体，其中，所述Ag纳米层位于所述裸片焊盘的所述整个粗糙化表面上。

4.如权利要求1所述的引线框半导体封装体，其中，所述Ag纳米层约为10纳米厚。

5.如权利要求1所述的引线框半导体封装体，其中，所述至少一条引线是多条引线，并且所述Ag纳米层是第一Ag纳米层，所述引线框半导体封装体包括在所述多条引线上的第二Ag纳米层。

6.如权利要求1所述的引线框半导体封装体，其中，所述焊料材料是软焊料材料。

7.如权利要求1所述的引线框半导体封装体，其中，所述至少一条引线具有粗糙化表面。

8.一种用于制造半导体封装体的方法，包括：

在裸片焊盘的粗糙化表面上形成Ag纳米层；

在所述Ag纳米层上形成Ag微米层，所述裸片焊盘的外周边上的所述Ag纳米层从所述Ag微米层保持暴露；以及

使用包括Pb的焊料材料以将半导体芯片耦合到所述裸片焊盘的所述Ag微米层。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述Ag纳米层包括电镀所述Ag纳米层。

10.如权利要求8所述的方法，进一步包括对所述裸片焊盘的表面进行粗糙化以在形成所述Ag纳米层之前形成所述粗糙化表面。

11.如权利要求8所述的方法，进一步包括将所述焊料材料滴涂在所述Ag微米层上，其中，使用所述焊料材料以将所述半导体芯片耦合到所述裸片焊盘包括回流所述焊料材料。

12.如权利要求11所述的方法，其中，回流所述焊料材料包括将所述焊料材料在360℃下暴露小于1分钟。

13.如权利要求12所述的方法，其中，当回流所述焊料材料时，所述焊料材料形成中间材料，所述中间材料包括Ag和Pb。

14.如权利要求8所述的方法，其中，所述裸片焊盘由铜或铜合金制成。

15.一种引线框半导体封装体，包括：

裸片焊盘，所述裸片焊盘具有粗糙化表面、位于所述粗糙化表面上的Ag纳米层；

包括Pb的焊料材料，所述焊料材料在所述裸片焊盘上，所述裸片焊盘的外周边上的所述Ag纳米层从所述焊料材料保持暴露；

半导体芯片，所述半导体芯片通过所述焊料材料耦合到所述裸片焊盘；

多条引线，所述多条引线具有粗糙化表面；以及

导电线，所述导电线具有耦合到所述半导体芯片的键合焊盘的第一端以及耦合到所述多条引线的第二端。

16.如权利要求15所述的引线框半导体封装体，其中，所述焊料材料是软焊料。

17.如权利要求15所述的引线框半导体封装体，其中，所述Ag纳米层约为10纳米厚。