[发明专利]松树状金属纳米光栅

权利要求书

1.一种松树状金属纳米光栅，其包括：一基底以及以阵列形式分布于该基底表面的多个三维纳米结构，其特征在于，所述三维纳米结构由一第一长方体结构、一第二长方体结构及一三棱柱结构组成，所述第一长方体结构设置在基底的一表面，所述第二长方体结构设置在第一长方体结构远离基底的表面，所述三棱柱结构设置在第二长方体结构远离第一长方体结构的表面，所述三棱柱结构底面的宽度等于所述第二长方体结构上表面的宽度且大于所述第一长方体结构上表面的宽度，所述第一长方体结构和三棱柱结构的材料为金属，当隔离层的材料为金属时，所述隔离层的材料与所述第一长方体结构和三棱柱结构的材料不同，所述三棱柱结构的底面与第二长方体结构的上表面完全重合。

2.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅，其特征在于，所述三维纳米结构为一条形凸起结构，多个三维纳米结构在基底表面以直线、折线或曲线的形式并排延伸，所述多个三维纳米结构在基底表面以连续的方式或间断的方式并排延伸。

3.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅，其特征在于，相邻的三维纳米结构具有相同的间距，所述相邻三维纳米结构之间的间距为40纳米～450纳米。

4.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅，其特征在于，所述金属材料为金、银、铜和铝中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅，其特征在于，所述第二长方体结构的材料为Cr、Ta、Ta₂O₅、TiO₂、Si、SiO₂中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅，其特征在于，所述第一长方体结构的厚度为20纳米～500纳米，所述第二长方体结构的厚度为5纳米～100纳米，所述三棱柱结构的厚度为40纳米～800纳米。

7.如权利要求1所述的松树状金属纳米光栅，其特征在于，所述三棱柱结构的表面进一步包括一第三金属层。