[发明专利]一种简单控制相变制备β‑氮化硅晶须的方法

权利要求书

1.一种控制相变制备β-氮化硅晶须的方法，其特征在于以α相氮化硅粉体为原料，Re2O3为烧结助剂，经混料—球磨—干燥后得混合粉体：其中Re为稀土元素，Re＝La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu等，将混合粉体放入坩埚中，在氮气气氛保护下，升温烧结制备β-氮化硅晶须。

2.根据权利要求1所述制备β-氮化硅晶须的方法，其特征在于：在质量分数为90％～99％原始氮化硅粉体中加入Re2O3的质量分数为0～10％，得混合粉体。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于：原始氮化硅纯度为99.9％以上，粒径约为200nm；Re2O3的纯度大于99％，粒径大于100nm。

4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：将烧结助剂Re2O3按质量分数比进行配料，放入无水乙醇溶剂中，经机械搅拌10～30min后，加入氮化硅原始粉体中，使烧结助剂在原始粉体中分散。

5.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于：将混合粉体以无水乙醇为溶剂，以氮化硅球为介质，在辊式球磨机上混合球磨10～30h,经干燥、造粒后的混合粉体。

6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：将混合粉体置于氮化硼坩埚中，放入气氛保护烧结炉的炉腔中，以5～15℃/min的升温速率至1500℃～1800℃，保温0.5～5h。

7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：升温烧结过程中保护气氛为氮气，纯度为99.99％，升温至1200℃～1800℃温度区间，氮气压力控制在30KPa～100KPa范围内。