[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层，所述电子阻挡层包括交替层叠设置的p型Si_aIn_bGa_1-a-bN层和p型Si_xAl_yGa_1-x-yN层，所述p型Si_aIn_bGa_1-a-bN层的层数N₁和所述p型Si_xAl_yGa_1-x-yN层的层数N₂相同，且N₁≥1，N₂≥1，其中，a＞0，b＞0，a+b＜1，x＞0，y＞0，x+y＜1。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，5≤N₁＝N₂≤10。

3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述p型Si_aIn_bGa_1-a-bN层的厚度为5～10nm。

4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述p型Si_xAl_yGa_1-x-yN层的厚度为5～10nm。

5.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为50～100nm。

6.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长依次生长缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层，所述电子阻挡层包括交替层叠设置的p型Si_aIn_bGa_1-a-bN层和p型Si_xAl_yGa_1-x-yN层，所述p型Si_aIn_bGa_1-a-bN层的层数N₁和所述p型Si_xAl_yGa_1-x-yN层的层数N₂相同，且N₁≥1，N₂≥1，a＞0，b＞0，a+b＜1，x＞0，y＞0，x+y＜1。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述p型Si_aIn_bGa_1-a-bN层的生长温度为900℃～950℃。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述p型Si_xAl_yGa_1-x-yN层的生长温度为900℃～950℃。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述p型Si_aIn_bGa_1-a-bN层的生长压力为200～400mbar。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述p型Si_xAl_yGa_1-x-yN层的生长压力为200～400mbar。