[发明专利]鳍式场效应晶体管(FINFET)中的源极/漏极区及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体鳍上方形成第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件，其中，所述半导体鳍的部分由所述第一伪栅极堆叠件和所述第二伪栅极堆叠件之间的开口暴露；

蚀刻所述半导体鳍的所述部分以使所述开口延伸至所述半导体鳍内，其中，在所述半导体鳍的俯视图中，所述半导体鳍的材料围绕所述开口；以及

在所述半导体鳍的所述部分上的所述开口中外延生长源极/漏极区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，外延生长所述源极/漏极区包括沿着所述第一伪栅极堆叠件和所述第二伪栅极堆叠件的侧壁外延生长所述源极/漏极区。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一伪栅极堆叠件还在半导体衬底中的隔离区上方延伸。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一伪栅极堆叠件从所述半导体鳍延伸至附加的半导体鳍，其中，在所述半导体鳍和所述附加的半导体鳍之间设置所述隔离区。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第二伪栅极堆叠件的与所述第一伪栅极堆叠件相对的侧上设置的第三伪栅极堆叠件，其中，在所述第一伪栅极堆叠件下方设置所述半导体鳍的第一侧壁，并且其中，在所述第三伪栅极堆叠件下方设置与所述第一侧壁相对的所述半导体鳍的第二侧壁。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

利用第一替代栅极堆叠件置换所述第一伪栅极堆叠件；以及

利用第二替代栅极堆叠件置换所述第二伪栅极堆叠件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一替代栅极堆叠件是伪栅极堆叠件，并且其中，在穿过介电层形成电连接至所述第二替代栅极堆叠件的栅极接触件之后，所述介电层覆盖所述第一替代栅极堆叠件的整个顶面。

8.一种形成半导体器件的方法，包括：

在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间的隔离区上方形成第一伪栅极堆叠件，其中，所述第一伪栅极堆叠件从所述第一半导体鳍的侧壁上方延伸至所述第二半导体鳍的侧壁上方，并且其中，沿着所述第一半导体鳍的纵向尺寸的第一线延伸穿过所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍；

在邻近所述第一伪栅极堆叠件的所述第一半导体鳍中蚀刻第一开口，其中，在所述第一半导体鳍的俯视图中，所述第一半导体鳍的材料完全围绕所述第一开口；

在邻近所述第一伪栅极堆叠件的所述第二半导体鳍中蚀刻第二开口，其中，在所述第二半导体鳍的俯视图中，所述第二半导体鳍的材料完全围绕所述第二开口；

在所述第一半导体鳍上的所述第一开口中外延生长第一源极/漏极区；

在所述第二半导体鳍上的所述第二开口中外延生长第二源极/漏极区；以及

利用第一替代栅极堆叠件置换所述第一伪栅极堆叠件。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

形成邻近所述第一半导体鳍上的所述第一伪栅极堆叠件的第二伪栅极堆叠件；

在外延生长所述第一源极/漏极区之后，利用第二替代栅极堆叠件置换所述第二伪栅极堆叠件；

在所述第一替代栅极堆叠件和所述第二替代栅极堆叠件上方沉积第一介电层；以及

形成延伸穿过所述第一介电层并且电连接至所述第二替代栅极堆叠件的栅极接触件。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区上方形成第二介电层；

形成穿过所述第二介电层且电连接至所述第一源极/漏极区的第一源极/漏极接触件；以及

形成穿过所述第二介电层且电连接至所述第二源极/漏极区的第二源极/漏极接触件。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，在沿着垂直于所述第一线的第二线截取的截面图中，所述第一伪栅极堆叠件沿着所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍的侧壁延伸。