[发明专利]一种电镀废水深度处理工艺及系统

权利要求书

1.一种电镀废水深度处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：

A、回用水处理：

A1、预处理：将电镀废水进行分类别预处理，得到混合废水；

A2、混凝沉淀：将步骤A1中的混合废水进行混凝沉淀处理，得到沉淀和上清液；

A3、水解酸化处理：将步骤A2中的上清液进行水解酸化处理；

A4、A/O生化系统处理：将经过步骤A3处理后的出水送入A/O生化系统进行厌氧处理和好氧处理；

A5、UF超滤系统处理：步骤A4中经A/O生化系统处理后的出水进入UF超滤系统超滤,得到滤液；

A6、RO反渗透系统处理：将步骤A5得到的滤液送入RO反渗透系统，经RO反渗透系统处理后的水分为产水和浓盐废水，其产水可直接回用；

B、浓盐废水处理

B1、混凝沉淀：将步骤A6中得到的浓盐废水进行混凝沉淀处理，得到沉淀和上清液；

B2、水解酸化处理：将经步骤B1处理后的上清液进行水解酸化处理；

B3、A/O生化系统处理：将经过步骤B2处理后的出水送入A/O生化系统进行厌氧处理和好氧处理；

B4、曝气生物滤池处理：A/O生化系统的出水进入曝气生物滤池，经曝气生物滤池处理后的出水可直接排放。

2.根据权利要求1所述的电镀废水深度处理工艺，其特征在于：在所述步骤B4之前将A/O生化系统的出水进行芬顿氧化处理；经芬顿氧化处理后的出水再进行混凝沉淀处理，最后经沉淀分离后的上清液进入步骤B4所述的曝气生物滤池。

3.根据权利要求1所述的电镀废水深度处理工艺，其特征在于：所述步骤A3和B2中，水解酸化处理的具体工艺为：溶解氧的浓度为DO≤0.2mg/L，pH为6-8，处理时间为≥4h。

4.根据权利要求1所述的电镀废水深度处理工艺，其特征在于：所述步骤A4和B3中，A/O生化系统处理的具体工艺为：在缺氧池中投加葡萄糖，投加量为C:N:P=（80-120）：（3-5）：1，缺氧池溶解氧的浓度DO≤0.5mg/L；好氧池的溶解氧浓度DO≥2.0mg/L，污泥浓度为：2000-3000 mg/L，处理时间为≥6h。

5.一种如权利要求1-4任一所述的电镀废水深度处理工艺所使用的系统，其特征在于：包括依次连接的回用水处理系统和浓盐废水处理系统；

所述回用水系统包括依次连接的物化预处理系统、第一混凝沉淀池、第一水解酸化池、第一A/O生化系统、UF超滤系统、RO反渗透系统；

所述浓盐废水处理系统包括依次连接的第二混凝沉淀池、第二水解酸化池、第二A/O生化系统和曝气生物滤池；

所述RO反渗透系统连接所述第二混凝沉淀池。

6.根据权利要求5所述的电镀废水深度处理系统，其特征在于：所述第一混凝沉淀池的入口、出口分别与所述物化预处理系统的出口、所述第一水解酸化池的入口连通，所述第一A/O生化系统的入口、出口分别与所述第一水解酸化池的出口、所述UF超滤系统的入口连通，所述RO反渗透系统的入口、出口分别与所述UF超滤系统的出口、第二混凝沉淀池的入口连通，所述第二水解酸化池的入口、出口分别与所述第二混凝沉淀池的出口、所述A/O生化系统的入口连通，所述A/O生化系统的出口与第二曝气生物滤池的入口连通。

7.根据权利要求5所述的电镀废水深度处理系统，其特征在于：所述第一混凝沉淀池的出口包括第一排泥口和第一排液口，第一排液口与所述第一水解酸化池的入口连通；所述RO反渗透系统的出口包括产水口和浓水口，产水口用于排放回用产水，浓水口与所述第二混凝沉淀池的入口连通。

8.根据权利要求5所述的电镀废水深度处理系统，其特征在于：所述第二混凝沉淀池的出口包括第二排泥口和第二排液口，所述第二排泥口用于排放沉淀污泥，所述第二排液口与所述第二水解酸化池的入口连通。

9.根据权利要求5所述的电镀废水深度处理系统，其特征在于：所述第二A/O生化系统和所述曝气生物滤池之间连接有芬顿氧化池，芬顿氧化池的入口、出口分别与第二A/O生化系统的出口、曝气生物滤池的入口连通。

10.根据权利要求9所述的电镀废水深度处理系统，其特征在于：所述芬顿氧化池和所述曝气生物滤池之间设置有第三混凝沉淀池，所述第三混凝沉淀池设置有入口、第三排泥口和第三排液口，其中，所述第三混凝沉淀池的入口、第三排液口分别与芬顿氧化池的出口、曝气生物滤池的入口连通，第三排泥口用于排放沉淀污泥。