[发明专利]封装结构及其制法

说明书

一种封装结构及其制法，通过于一包括有多个第一电性连接垫及第二电性连接垫的金属架上接置电子元件并形成包覆该电子元件的包覆层，且于该包覆层外表面形成屏蔽层且接触外露出该包覆层的该第二电性连接垫，以透过该金属架达到接地功能。

技术领域

本发明关于一种封装结构，特别是关于一种具屏蔽功能的封装结构及其制法。

背景技术

随着科技的快速发展，各种新的产品不断推陈出新，为了满足消费者方便使用及携带容易的需求，现今各式电子产品无不朝向轻、薄、短、小发展，其中，半导体封装件(Semiconductor Package)为一种将半导体芯片(chip)电性连接在一如封装基板的承载件上，再以如环氧树脂的封装胶体包覆该半导体芯片及承载件，以通过该封装胶体保护该半导体芯片及承载件，并避免外界水气或污染物的侵害，另外，为提升半导体封装件的电性品质，一般会于该封装胶体上罩设一如金属壳的覆盖构件，或直接于该半导体芯片及承载件上罩设如金属壳的覆盖构件，以通过该覆盖构件保护该半导体芯片免受外界影响(如静电放电(ESD))而受损，并通过该覆盖构件阻挡内外部的电磁波干扰(Electro-MagneticInterference，简称EMI)及电磁相容性(Electro-Magnetic Compatibility，简称EMC)。

此外，现有半导体封装件或系统级封装(System in Package，简称SiP或SystemIntegrated Package，简称SIP)的接地系统，通过设于外部的覆盖构件与自身的接地结构电性连接，再与系统大地电性连接，藉以防止电磁波的干扰。

如图1A及图1B所示，现有的半导体封装件1在基板10上接置一芯片11及网状金属罩盖(Meshed Metallic Shield)12，再以封装胶体13包覆该网状金属罩盖12及芯片11，俾通过该网状金属罩盖12遮蔽芯片11所产生的电磁波干扰或由外部装置所产生的电磁波干扰，其中，该网状金属罩盖12电性连接该基板10的接地线路14。

或者，如图1C所示，现有的半导体封装件1’于基板10上透过凸块15以覆晶方式接置一芯片11，又于该基板10及芯片11上黏附盖设一金属箔16，其中，金属箔16电性连接至基板10的接地线路上(图未示)，且于该金属箔16与基板10之间填充封装胶体13，俾通过该金属箔16遮蔽芯片11所产生的电磁波干扰或由外部装置所产生的电磁波干扰。

然而，现有半导体封装件1,1’的接地方式，通过网状金属罩盖12或金属箔16电性连接至芯片11及其它主/被动元件(图未示)的接地线路，当静电发生并接触该网状金属罩盖12或金属箔16时，则该静电会沿该接地线路的路径朝芯片11及其它主/被动元件传导，当静电传导至芯片11及其它主/被动元件时会发生静电释放，容易造成芯片11及其它主/被动元件损坏。

此外，该网状金属罩盖12或金属箔16连接到系统大地的路径过长，尤其现有基板10的线路层多于六层时，将因线路过多而使该接地线路的接地效果降低，使得电荷不易释放，更易导致该芯片11或其它主/被动元件内部损坏。

因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺失，本发明提供一种封装结构及其制法，能避免电子元件的内部受电荷侵入而损坏的问题。。

本发明的封装结构，其包括：金属架，其包含有第一电性接触垫与第二电性接触垫；至少一电子元件，其设于该金属架上方并电性连接该第一与第二电性接触垫；包覆层，其形成于该金属架上以包覆该电子元件，且具有相对的第一表面与第二表面及邻接该第一与第二表面的侧面，其中，该第二电性接触垫外露于该侧面，且该第一电性接触垫未外露于该侧面；以及屏蔽层，其形成于该包覆层的第二表面与侧面且接触该第二电性接触垫。