[发明专利]放大器有效

专利信息
申请号: 201710290840.X 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN107453723B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 蔡鸿杰;林育信 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F3/21
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 放大器
【权利要求书】:

1.一种放大器,其特征在于,包括:

放大级,用于接收输入信号,以产生放大的该输入信号,其中,该输入信号为差分输入对并且包括:第一输入信号和第二输入信号;

第一叠接电路,包括:彼此叠接的第一晶体管与第二晶体管,以及彼此叠接的第三晶体管与第四晶体管,其中,该第一晶体管和该第三晶体管充当电流源,以及,该第一晶体管与该第二晶体管的公共节点电性连接至该第三晶体管与该第四晶体管的公共节点;

输入前馈电路,用于将该第一输入信号和该第二输入信号分别馈至该第二晶体管与该第四晶体管;以及

输出级,用于根据放大的该输入信号与该第一叠接电路的输出,产生输出信号,其中,该输出信号为差分输出对。

2.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,该输入前馈电路包括:高通滤波器,该第一输入信号和第二输入信号经由该高通滤波器分别馈入该第二晶体管和第四晶体管。

3.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,该输入前馈电路包括:

第一电容,耦接在该第一输入信号和该第二晶体管的栅极之间;

第二电容,耦接在该第二输入信号与该第四晶体管的栅极之间;

第一电阻,耦接在偏压和该第二晶体管的栅极之间;

第二电阻,耦接在该偏压和该第四晶体管的栅极之间。

4.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,该第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管与第四晶体管均为PMOS或NMOS。

5.如权利要求4所述的放大器,其特征在于,该第二晶体管的源极电性连接至该第四晶体管的源极。

6.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,进一步包括:

第二叠接电路,耦接至该放大级,用于接收放大的该差分输入对;

其中,该输出级用于根据该第一叠接电路的输出与该第二叠接电路的输出,产生该差分输出对。

7.如权利要求6所述的放大器,其特征在于,该第二叠接电路包括:彼此叠接的第五晶体管和第六晶体管,以及彼此叠接的第七晶体管和第八晶体管,该第五晶体管和第七晶体管充当电流源,该第六晶体管和第八晶体管的源极分别接收放大的该第一输入信号和放大的该第二输入信号。

8.如权利要求7所述的放大器,其特征在于,当该第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管与第四晶体管均为PMOS时,该第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管均为NMOS;或者,当该第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管与第四晶体管均为NMOS时,该第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管均为PMOS。

9.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,该放大器为AB类放大器。

10.如权利要求6所述的放大器,其特征在于,还包括:AB类控制电路,耦接在该第一叠接电路和该第二叠接电路之间。

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