[发明专利]多站沉积系统中膜厚度匹配的可变循环和时间RF激活方法

权利要求书

1.一种在多站沉积装置的分开的站中同时处理的至少两个衬底上沉积大致相等厚度的材料的方法，所述方法包括：

(a)在所述沉积装置的第一站中提供第一衬底，并在所述沉积装置的第二站中提供第二衬底；

(b)将所述材料同时沉积在所述第一站中的所述第一衬底上以及所述第二站中的所述第二衬底上，其中所述第一站和所述第二站中的沉积条件基本上相同，但还是在所述第一站中的所述第一衬底上产生比在所述第二站中的所述第二衬底上厚的所述材料层；

(c)调节所述第一站中的所述沉积条件以减缓或停止在所述第一衬底上沉积所述材料，同时在(b)中的所述条件下继续在所述第二站中的所述第二衬底上沉积所述材料；以及

(d)完成在所述第一站中的所述第一衬底上以及所述第二站中的所述第二衬底上的沉积，使得沉积在所述第一衬底上以及沉积在所述第二衬底上的所述材料的总厚度基本相等。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积条件包括将所述第一衬底和所述第二衬底暴露于所述材料的前体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中调节所述沉积条件包括减少或停止所述前体向所述第一站的流动。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积条件包括将所述第一衬底和所述第二衬底暴露于等离子体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中调节所述沉积条件包括减少或停止所述第一衬底暴露于所述等离子体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中(b)包括以下步骤的循环重复：(i)前体投配以在所述第一衬底和所述第二衬底上吸收前体，以及(ii)将所述第一衬底和所述第二衬底暴露于等离子体以引起所述前体反应以形成所述材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中(c)包括在所述第一站中停止所述前体投配和/或所述等离子体暴露，从而减少在所述循环重复期间沉积的所述材料的厚度，同时在(b)中的所述条件下在所述第二站中的所述第二衬底上继续执行所述循环重复。

8.根据权利要求6所述的方法，其中(c)包括调节在所述第一站中的所述等离子体的持续时间或功率，从而减少在所述循环重复期间沉积的所述材料的厚度，同时在(b)中的所述条件下在所述第二站中的所述第二衬底上继续执行所述循环重复。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中在(b)和(c)期间，所述第一晶片不离开所述第一站。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其还包括在(b)之前或在(b)期间分析关于在所述第一站和所述第二站中的相对沉积速率的测量信息，以及使用所述测量信息来确定如何调节(c)中的所述沉积条件。