[发明专利]转置图章与应用其的转移方法

说明书

本发明提供一种转置图章与应用其的转移方法，该转置图章包含本体与多个磁性物质。本体具有基底部与转置头。基底部具有表面，转置头沿着第一方向突出于基底部的表面，且转置头沿着第一方向具有相对的第一侧面与第二侧面。第一侧面与第二侧面连接表面。磁性物质置于转置头中。磁性物质邻近第一侧面的密度大于邻近第二侧面的密度。本发明能够增加转移微元件的良率。

技术领域

本发明是有关于一种转置图章，特别是一种藉由局部磁力提高转印良率的转置图章与应用其的转移方法。

背景技术

微型发光二极管阵列(Micro Light-Emitting Diode Array)为将尺寸微小(小于100微米)的微型发光二极管以阵列方式排列设置于具有像素电路的阵列基板上。通过定址化驱动技术，每个微型发光二极管可以定址控制、单独驱动点亮，因而可以作为点像素，于是，微型发光二极管阵列将能发挥显示器的功能。

除了具有高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，微型发光二极管阵列还具有节能、结构简易、体积小、薄型等优势。比起同样是自发光的有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode)显示器，微型发光二极管阵列有较佳的材料稳定性、寿命长、且无影像烙印等问题。为了改善微型发光二极管阵列的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的微型发光二极管阵列与其相关制造工艺，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。

发明内容

本发明提供一种转置图章与应用其的转移方法，以增加转移微元件的良率。

本发明提供一种转置图章，包含本体与多个磁性物质。本体具有基底部与转置头。基底部包含表面，转置头沿着第一方向突出于基底部的表面，且转置头沿着第一方向具有相对的第一侧面与第二侧面。第一侧面与第二侧面连接基底部的表面。磁性物质置于转置头中。磁性物质邻近第一侧面的密度大于邻近第二侧面的密度。

在一个或多个实施例中，磁性物质于转置头中的密度沿着第二方向递减，第二方向垂直于第一方向。

在一个或多个实施例中，转置头沿第一方向具有对称面。转置头包含对称于对称面的第一部分与第二部分，且位于第一部分的磁性物质的密度大于位于第二部分的磁性物质的密度。

在一个或多个实施例中，转置头包含上部分与下部分，上部分与下部分沿着第一方向排列。上部分置于下部分与基底部之间，且上部分于基底部的垂直投影面积大于下部分于基底部的垂直投影面积。

在一个或多个实施例中，磁性物质置于转置头的下部分。

在一个或多个实施例中，转置头的下部分沿着第二方向具有一宽度，且自第一侧面为起点的25％前述宽度的区域内的磁性物质的密度大于自第二侧面为起点的25％前述宽度的区域内的磁性物质的密度。

在一个或多个实施例中，磁性物质的材质为四氧化三铁、氧化锰铁、氧化钴铁、铝镍钴合金、铁铬钴合金、铁铬锰合金、铁铝碳合金、稀土元素-钴合金、稀土元素-铁合金、铂钴合金、锰铝碳合金、铜镍铁合金、铝锰银合金或其组合。

本发明另提供一种转置图章，包含本体与多个磁性物质。本体具有基底部与转置头。基底部具有表面，转置头沿着第一方向突出于基底部的表面，且转置头包含第一部分与第二部分，第一部分与第二部分相互连接。磁性物质置于转置头中。磁性物质于第一部分具有第一密度，磁性物质于第二部分具有第二密度，且第一密度不等于第二密度。

在一个或多个实施例中，第一密度大于该第二密度。

在一个或多个实施例中，转置头的第一部分与转置头的第二部分分别设置于基底部的表面上。

在一个或多个实施例中，第一部分的尺寸与第二部分的尺寸实质上相同。