[发明专利]一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜，包括石墨烯薄膜，其特征在于：还包括铟锡氧化物半导体透明导电膜，碎裂为若干碎片的所述铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合于所述石墨烯薄膜的表面。

2.一种如权利要求1所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)通过化学气相沉积法，在衬底上生长石墨烯薄膜；

(2)将生长好石墨烯薄膜的衬底的石墨烯面，贴在胶膜上；

(3)将衬底与石墨烯薄膜剥离开来，使石墨烯薄膜附着在胶膜上；

(4)将石墨烯薄膜与铟锡氧化物半导体透明导电膜贴合在一起，然后加压使铟锡氧化物半导体透明导电膜碎裂为若干碎片并附着在石墨烯薄膜的表面，完成复合柔性透明导电薄膜的制备。

3.根据权利要求2所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述衬底的材料为包括但不限于Pt、Ni、Cu、Co、Ir、Ru、Au、Ag及其合金导体中的一种或多种，或者为包括但不限于Si、SiO₂、Al₂O₃半导体中的一种或多种，或者上述导体和半导体中的一种或多种的复合材料。

4.根据权利要求3所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底的材料为Cu或Ni。

5.根据权利要求2所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述胶膜为包括但不限于热释放胶带、热减粘胶膜、有机硅胶膜、UV减粘膜中的一种或多种，所述胶膜的厚度为1μm至2mm。

6.根据权利要求5所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述胶膜为热释放胶带或有机硅胶模，所述胶膜的厚度为10μm至200μm。

7.根据权利要求2所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，剥离衬底与石墨烯薄膜的方法为包括但不限于化学法腐蚀衬底法、电化学法腐蚀衬底法、机械剥离法、鼓泡法中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：剥离衬底与石墨烯薄膜的方法为化学法腐蚀衬底法。

9.根据权利要求2所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，所述铟锡氧化物半导体透明导电膜的厚度为1nm至10μm。

10.根据权利要求9所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述铟锡氧化物半导体透明导电膜的厚度为30nm至100nm。

11.根据权利要求2-10中任何一项所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，将碎裂为若干碎片的铟锡氧化物半导体透明导电膜附着在石墨烯薄膜的表面的处理条件为：下述条件中，至少包括其中的压力条件：压力条件：压力控制在10MPa-1000000MPa；温度条件：温度控制在-100℃-200℃；紫外光条件：紫外光的辐照能量波长控制在10nm-400nm，紫外光的辐照能量控制在0.1mj/cm²-10000mj/cm²。

12.根据权利要求11所述的基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述压力条件中，压力控制在1000MPa-10000MPa；所述温度条件中，温度控制在50℃-130℃；所述紫外光条件中，紫外光的辐照能量波长为365nm，紫外光的辐照能量控制在100mj/cm²-3000mj/cm²。