[发明专利]传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构在审
申请号: | 201710293294.5 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN107068578A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 李扬渊 | 申请(专利权)人: | 苏州迈瑞微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 封装 结构 制备 方法 | ||
1.一种传感器封装结构的制备方法,其特征在于,包括:
提供芯片,所述芯片的第一表面形成有功能电路;
在所述芯片与所述第一表面相对的第二表面上形成植球,所述植球与所述功能电路电连接;
将所述芯片的第一表面和保护部的第一表面贴合;
在所述保护部的第一表面上方形成封装层,所述封装层包覆所述芯片;
对远离所述保护部第一表面的封装层和所述植球进行减薄形成焊盘,形成的所述焊盘为暴露出的所述植球的部分区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述芯片上形成有通孔;
所述在所述芯片与所述第一表面相对的第二表面上形成植球包括:
沿垂直于所述第一表面的方向,在所述芯片的第二表面上与各所述通孔正对的位置形成所述植球,其中所述植球通过所述通孔与所述功能电路电连接。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述芯片上开设有沟槽,所述沟槽内形成有通孔;
所述第二表面上形成的植球通过所述通孔与所述功能电路电连接。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,沿垂直于所述第一表面的方向,所述植球的高度大于或等于20um。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述保护部包括介电层,所述介电层的材料包括蓝宝石、陶瓷、水晶或玻璃。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,将所述芯片的第一表面和保护部的第一表面贴合,包括:
将所述芯片的第一表面和保护部的第一表面通过连接胶贴合。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对远离所述保护部第一表面的封装层和所述植球进行减薄形成焊盘包括:
切割和/或打磨所述封装层和所述植球,暴露出所述植球的部分区域以形成所述焊盘。
8.一种传感器封装结构,其特征在于,包括:
芯片,所述芯片的第一表面形成有功能电路,与第一表面相对设置的第二表面之上形成与功能电路电连接的植球;
保护部,所述保护部的第一表面与所述芯片的第一表面贴合;
封装层,所述封装层位于保护部的第一表面上方,所述封装层包覆所述芯片和植球;
所述封装层远离所述保护部第一表面的封装层的表面设置有焊盘,所述焊盘为所述封装层减薄后植球形成的截面,所述封装层暴露出所述焊盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造