[发明专利]用于调整写入信号的装置、方法和设备有效
申请号: | 201710293412.2 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN107424630B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 托德·M·拉默斯 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/02 | 分类号: | G11B5/02;G11B5/58 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 调整 写入 信号 装置 方法 设备 | ||
本申请案涉及写入信号调整。写入信号可基于从接近将施加所述写入信号的存储媒体上的目标部分的一或多个部分获取或读取的一或多个读取信号得以调整或修改。可响应于接收写入数据单元从所述存储媒体读取所述一或多个读取信号,使得所述读取信号可无需缓冲或稍后被时钟同步到所述写入信号。
技术领域
本文中的本发明涉及调整写入信号以补偿存储媒体的现存磁化。
背景技术
本发明涉及利用磁记录媒体(例如硬盘)的系统、方法及设备。硬盘驱动器具有的优于其它数据存储技术(例如快闪存储器)的一个优点可为相对较低的每单元存储成本,在过去十年间,此可通过(除了其它方法之外)以约10到15%的速率增加磁装置的磁录密度实现。这允许硬驱动装置增加总容量而不会显著增加物理大小或成本。
为了维持硬盘驱动磁录密度的增长,提出数个新的记录及读取技术。举例来说,叠瓦式磁记录(SMR)或其它磁记录技术可写入导致更窄轨道及更高轨道密度的重叠轨道。被称为二维磁记录(TDMR)的一种技术允许同时读取两个或两个以上轨道,例如,解码两个轨道的组合。被称为多传感器磁记录(MSMR)等等的另一技术每读取/写入磁头利用多个传感器。MSMR磁头可具有同时从一或多个轨道读取数据的多个读取换能器(例如,读取器),这可潜在地增加以较窄间距写入的轨道的性能。应理解,本文中可互换地使用术语“读取器”、“读取换能器”及“读取传感器”。此外,应理解,本文中可互换地使用术语“写入器”、“写入换能器”及“写入传感器”。另外,庞磁电阻(CMR)及各种新兴的垂直磁记录(PMR)技术可进一步增加硬盘驱动磁录密度。
开发了其它磁记录技术以解决被称为顺磁极限的问题,其可描述现存垂直记录的理论磁录密度极限。这些技术的实例可包含热辅助磁记录(HAMR)及比特格式媒体(BPM)。HAMR记录装置可使用例如激光器的能量源以加热高矫顽力媒体上的光点以在记录期间局部减小矫顽力。在光点冷却之后,数据可能较不易受由于热起伏的数据丢失影响。BPM装置可包含经由纳米光刻图案化以形成用于存储数据位的磁单元的媒体。使用纳米光刻可允许比在由写入换能器将单元界定于连续媒体中的情况下更大的磁录密度。
发明内容
一种示范性装置可包含存储媒体、磁头及电路。所述存储媒体可包含多个数据轨道,且所述磁头可包含读取换能器及写入换能器。所述电路可操作地耦合到所述磁头以从所述存储媒体的所述多个数据轨道读取数据及将数据写入到所述存储媒体的所述多个数据轨道。所述电路可经配置以:使用所述写入换能器接收待写入到所述存储媒体的目标数据轨道的目标部分的写入数据单元;及响应于接收所述写入数据单元,使用所述读取换能器从所述目标数据轨道的目标部分及所述目标轨道或接近所述目标部分的另一数据轨道的另一部分中的至少一者获取至少一个读取数据信号。所述电路可进一步经配置以:基于所述至少一个读取数据信号调整对应于所述写入数据单元的写入数据信号以补偿所述目标数据轨道的所述目标部分或接近所述目标数据轨道的所述目标部分的所述存储媒体的现存磁化;及将所述经调整写入信号传输到所述写入换能器,以将所述写入数据单元写入到所述目标部分。
一种示范性方法可包含:接收待写入到存储装置的存储媒体的目标数据轨道的目标部分的写入数据单元;响应于接收所述写入数据单元,读取来自所述目标数据轨道的目标部分及所述目标轨道或接近所述目标部分的另一数据轨道的另一部分中的至少一者的至少一个读取数据信号;基于所述至少一个读取数据信号调整对应于所述写入数据单元的写入数据信号以补偿所述目标数据轨道的所述目标部分或接近所述目标数据轨道的所述目标部分的所述存储媒体的磁化;及基于所述经调整写入信号将所述写入数据单元写入到所述目标部分。
在一或多个实施例中,所述电路可包含:控制处理器;及前置放大器部分,其可操作地耦合到所述控制处理器及所述磁头。所述前置放大器部分可经配置以基于所述至少一个读取数据信号调整对应于所述写入数据单元的所述写入数据信号以补偿所述目标数据轨道的所述目标部分或接近所述目标数据轨道的所述目标部分的所述存储媒体的现存磁化。换句话来说,基于所述至少一个读取数据信号调整对应于所述写入数据单元的写入数据信号可执行于所述存储装置的前置放大器部分中。
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