[发明专利]多层金属焊盘

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一区中在第一着陆焊盘之上以及在第二区中在第二着陆焊盘之上形成导电衬垫，其中所述第一区包括低功率或标准电压器件，而所述第二区包括高电压或功率器件；

在形成于导电衬垫之上的抗蚀剂层内的第一开口内沉积第一导电材料，第一导电材料满溢以形成第一焊盘以及第二焊盘的第一层；

在第一导电材料之上沉积第二抗蚀剂层；

图案化第二抗蚀剂层以形成暴露第二焊盘的第一层而不暴露第一焊盘的第二开口；以及

在第二焊盘的第一层之上沉积第二导电材料。

2.权利要求1所述的方法，其中第一导电材料是与第二导电材料不同类型的材料。

3.权利要求1所述的方法，其中第二导电材料比第一导电材料更加多孔。

4.权利要求1所述的方法，其中第二导电材料具有与第一导电材料不同的组成。

5.权利要求1所述的方法，还包括：

去除第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层；以及

去除在去除第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层之后暴露的导电衬垫。

6.权利要求1所述的方法，其中导电衬垫包括扩散屏障层和种子层。

7.权利要求1所述的方法，还包括在沉积第二导电材料之后退火。

8.权利要求1所述的方法，还包括：

在第二导电材料之上沉积第三抗蚀剂层；

图案化第三抗蚀剂层以形成暴露第二焊盘的第二导电材料而不暴露第一焊盘的第三开口；以及

在第二焊盘的第二导电材料之上沉积第三导电材料。

9.权利要求1所述的方法，还包括利用酰亚胺层涂敷所暴露的第二导电材料和第一导电材料。

10.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一区中在第一着陆焊盘之上以及在第二区中在第二着陆焊盘之上形成导电衬垫，其中所述第一区包括低功率或标准电压器件，而所述第二区包括高电压或功率器件；

在导电衬垫之上沉积抗蚀剂层；

图案化抗蚀剂层以在抗蚀剂层中形成第一开口；

在第一开口内沉积第一导电材料，第一导电材料满溢以形成第一焊盘以及第二焊盘的第一层；

在第一导电材料之上沉积蚀刻停止衬垫；

在蚀刻停止衬垫之上沉积第二导电材料；以及

蚀刻第二导电材料和蚀刻停止衬垫以形成第二焊盘，其中第二焊盘包括第一导电材料层和第二导电材料层。

11.权利要求10所述的方法，其中第一导电材料是与第二导电材料不同类型的材料。

12.权利要求10所述的方法，其中第二导电材料比第一导电材料更加多孔。

13.权利要求10所述的方法，其中第二导电材料具有与第一导电材料不同的组成。

14.权利要求10所述的方法，还包括利用酰亚胺层涂敷所暴露的第二导电材料和第一导电材料。

15.一种半导体器件，包括：

衬底中的第一区，所述第一区包括晶体管；

衬底中的第二区，所述第二区包括功率晶体管，功率晶体管是用于向第一区中的晶体管提供功率的电路的部分；

设置在第一区之上的第一焊盘，第一焊盘耦合到第一区中的晶体管；以及

设置在第二区之上的第二焊盘，第二焊盘耦合到第二区中的功率晶体管，其中第一焊盘包括第一金属层的第一部分，其中第二焊盘包括第一金属层的第二部分和设置在第一金属层的第二部分之上的第二金属层的层，其中第一金属层包括第一导电材料，并且第二金属层包括第二导电材料，并且其中第二金属层的层具有比第一金属层的第二部分更小的覆盖区。