[发明专利]薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的阵列基板、一种包括该阵列基板的显示装置和一种该薄膜晶体管的制作方法。

背景技术

传统的，氧化物阵列基板由于其优越的性能和相对简易的生产工艺越来越受到各大厂商和科研机构的追捧。其中顶栅结构氧化物阵列基板由于其较低的Cgs和Cgd，在LCD和OLED领域都有不错的应用前景。

但是，常规的顶栅结构阵列基板，如图1所示，在制备中由于采用自对准工艺而会形成一个轻掺杂区114(Lightly Doped Drain，LDD)，该轻掺杂区114不受栅压控制，而且其导体化程度的优劣直接影响到阵列基板200上的薄膜晶体管的性能，同时也由于轻掺杂区114的存在，薄膜晶体管的沟道长度无法准确定义。

因此，如何设计出一种能够准确定义薄膜晶体管的沟道长度的阵列基板成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的阵列基板、一种包括该阵列基板的显示装置以及一种该薄膜晶体管的制作方法。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层以及同层且间隔设置的源极和漏极，所述有源层包括源极接触区、漏极接触区和连接所述源极接触区和所述漏极接触区的沟道区，所述源极接触区覆盖所述源极的至少一部分，所述漏极接触区覆盖所述漏极的至少一部分，所述沟道区位于所述源极和漏极之间的间隔区。

优选地，所述源极包括层叠设置的第一源极层和第二源极层，所述第一源极层位于所述源极接触区和所述第二源极层之间，且所述第一源极层的边缘与所述源极接触区的边缘对齐；

所述漏极包括层叠设置的第一漏极层和第二漏极层，所述第一漏极层位于所述漏极接触区和所述第二漏极层之间，且所述第一漏极层的边缘与所述漏极接触区的边缘对齐。

优选地，所述第一源极层和所述第一漏极层由金属材料制成；所述第二源极层和所述第二漏极层由透明导电氧化物材料制成。

优选地，所述薄膜晶体管还包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极和所述有源层之间，且所述栅极位于所述有源层的上方。

本发明的第二方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括前文记载的所述薄膜晶体管。

优选地，所述阵列基板包括显示区，所述阵列基板的显示区包括多个像素单元，设置在所述显示区中的所述薄膜晶体管前文所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述像素单元中，且像素单元中还设置有像素电极，在同一个所述像素单元中，所述像素电极与所述第二漏极层形成为一体。

优选地，所述阵列基板还包括环绕所述显示区设置的周边区，所述显示区中设置的薄膜晶体管为前文所述的薄膜晶体管，所述源极包括层叠设置的第一源极层和第二源极层，所述阵列基板还包括位于周边区的绑定电极引线层和绑定电极层，所述绑定电极层与所述第二源极层和所述第二漏极层同层设置，所述绑定电极引线层设置在所述栅极绝缘层的上方；所述绑定电极引线层包括多条绑定电极引线，所述绑定电极层包括多个绑定电极，每条绑定电极引线对应至少一个绑定电极，且所述绑定电极引线通过贯穿所述栅极绝缘层的过孔与相应的绑定电极电性连接，所述绑定电极引线用于与电路板绑定连接。

本发明的第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括前文记载的所述阵列基板。

本发明的第四方面，提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述制作方法包括：

形成包括源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极同层且间隔设置；

形成包括有源层的图形，所述有源层包括源极接触区、漏极接触区和连接所述源极接触区和所述漏极接触区的沟道区，所述源极接触区覆盖所述源极的至少一部分，所述漏极接触区覆盖所述漏极的至少一部分，所述沟道区位于所述源极和漏极之间的间隔区。

优选地，所述形成包括源极和漏极的图形的步骤包括：

形成第二源漏材料层，所述第二源漏层的材料包括透明导电氧化物材料；

形成第一源漏材料层，所述第一源漏材料层的材料包括金属材料；

利用同一张掩模板对所述第一源漏材料层和所述第二源漏材料层进行刻蚀，以形成第一中间源极层和第一中间漏极层，所述第一中间源极层和所述第一中间漏极层间隔设置，以及第二源极层和第二漏极层；

形成有源层的步骤包括：

依次沉积半导体材料层和光刻胶层；