[发明专利]低功耗快速瞬态响应低压差电压调整器

权利要求书

1.低功耗快速瞬态响应低压差电压调整器，包括与输入偏置电流源连接的误差放大器、输入端接高电平输入端的输出功率管、反馈比例电阻组，输出功率管和反馈比例电阻组的连接点作为最终输出端，其特征在于，在误差放大器和输出功率管之间设置有第一放大模块、瞬态响应放电通路模块和驱动器模块；

所述第一放大模块包括：

PNP型的第五晶体管(Q5)，其发射极连接最终输出端，基极接误差放大器的输出端，集电极接第六晶体管的集电极，

NPN型的第六晶体管(Q6)，其集电极和基极连接，发射极接地，基极接驱动器模块的输入端，基极还接瞬态响应放电通路模块的输入端。

2.如权利要求1所述的低功耗快速瞬态响应低压差电压调整器，其特征在于，瞬态响应放电通路模块包括：

NPN型的第二晶体管(Q2)，其基极接瞬态响应放电通路模块的输入端，其发射极接地，其集电极接第一偏置电流源；

PNP型的第三晶体管(Q3)，其发射极接高电平输入端，基极接第二晶体管(Q2)的集电极，集电极通过第二偏置电流源接地；

NPN型的第四晶体管(Q4)，其集电极接最终输出端，基极接第三晶体管(Q3)的集电极，发射极接地。

3.如权利要求1所述的低功耗快速瞬态响应低压差电压调整器，其特征在于，驱动器模块包括：

第一NMOS管(MN1)，其源极接地，漏极和栅极皆与输入偏置电流源连接；

第四NMOS管(MN4)，其源极接地，栅极与第一NMOS管(MN1)的栅极连接，漏极接第六PMOS管(MP6)的漏极；

第五NMOS管(MN5)，其源极接地，栅极与第一NMOS管(MN1)的栅极连接，漏极接第九晶体管(Q9)的发射极；

第六NMOS管(MN6)，其源极接地，栅极与第一NMOS管(MN1)的栅极连接，漏极接第十PMOS管(MP10)的漏极；

第七NMOS管(MN7)，其源极接地，栅极与第一NMOS管(MN1)的栅极连接，漏极接驱动器模块输出端(V_G)；

第六PMOS管(MP6)，其源极与高电平输入端连接，栅极与漏极连接；

第七PMOS管(MP7)，其源极与高电平输入端连接，栅极与第六PMOS管(MP6)的栅极连接，漏极与第八晶体管(Q8)的集电极连接；

第八PMOS管(MP8)，其源极与高电平输入端连接，栅极与第六PMOS管(MP6)的栅极连接，漏极接驱动器模块输出端(V_G)；

第九PMOS管(MP9)，其源极与高电平输入端连接，栅极与第九晶体管(Q9)的发射极连接，漏极与第九晶体管(Q9)的基极连接；

第十PMOS管(MP10)，其源极与高电平输入端连接，栅极与第九晶体管(Q9)的发射极连接，漏极与第十晶体管(Q10)的基极连接；

第七晶体管(Q7)，其基极接瞬态响应放电通路模块的输入端，发射极接地，集电极接第九PMOS管(MP9)的漏极；

第八晶体管(Q8)，其基极接瞬态响应放电通路模块的输入端，发射极接地，集电极接第十一晶体管(Q11)的基极；

第九晶体管(Q9)，其集电极接高电平输入端；

第十晶体管(Q10)，发射极接驱动器模块输出端(V_G)，集电极接输入高电平；

第十一晶体管(Q11)，集电极接驱动器模块输出端(V_G)，发射极接地。