[发明专利]有机发光二极管阵列的制备方法

说明书

本发明提供一种有机发光二极管阵列的制备方法，包括：提供一基底，在该基底表面形成多个第一电极；在该基底上形成一图案化掩膜层，该图案化掩膜层覆盖该基底并使该多个第一电极的至少一部分裸露在外；提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机发光层源材料，该有机发光层源材料设置在该碳纳米管膜结构的表面；将该蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，加热所述该碳纳米管膜结构，使该有机发光层源材料蒸发，在裸露在外的多个第一电极上蒸镀形成多个有机发光层；在该多个有机发光层上形成多个第二电极；去除该图案化掩膜层形成有机发光二极管阵列。

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管阵列的制备方法。

背景技术

有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)是一种发光层由有机复合物构成的发光二极管，作为一种高效的发光源，其具有重量轻、厚度薄、多色彩、低制造成本等诸多特点，使得有机发光二极管在大面积面光源的照明应用上逐渐显露出取代传统发光二极管的趋势，已经被广泛的运用于各种领域。现有技术中形成有机发光层的方法通常为蒸镀，为了形成均匀的有机发光层，需要在待镀基底周围形成均匀的气态蒸镀材料。有机发光层尺寸越大，成膜的均匀性越难保证，并且，由于难以控制气态蒸镀材料原子的扩散运动方向，大部分蒸镀材料都不能附着在待镀基底表面，从而造成蒸镀率低且蒸镀速度慢等问题。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种提供一种能够解决上述问题的的有机发光二极管阵列的制备方法。

一种有机发光二极管阵列的制备方法，包括：提供一基底，在该基底表面形成多个第一电极；在该基底上形成一图案化掩膜层，该图案化掩膜层覆盖该基底并使该多个第一电极的至少一部分裸露在外；提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机发光层源材料，该有机发光层源材料设置在该碳纳米管膜结构的表面，通过该碳纳米管膜结构承载；将该蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，加热所述该碳纳米管膜结构，使该有机发光层源材料蒸发，在裸露在外的多个第一电极上蒸镀形成多个有机发光层；在该多个有机发光层上形成多个第二电极；去除该图案化掩膜层形成有机发光二极管阵列。

相较于现有技术，本发明中将自支撑的碳纳米管膜作为光活性层源材料的载体，利用该碳纳米管膜极大的比表面积及自身的均匀性，使承载在该碳纳米管膜上的光活性层源材料在蒸发前即实现较为均匀的大面积分布。在蒸发的过程中利用该自支撑碳纳米管膜在电磁波信号或电信号的作用下瞬时加热的特性，在极短的时间将光活性层源材料完全气化，从而形成均匀且大面积分布的气态光活性层源材料。该第一电极与该碳纳米管膜间隔距离短，使承载在该碳纳米管膜上的光活性层源材料基本上均能得到利用，有效节约了光活性层源材料，提高了蒸镀速度及均匀性。另外，本发明采用图案化掩膜层覆盖基底并使多个第一电极的至少一部分裸露在外，然后在第一电极上依次形成有机发光层和第二电极，最后去除图案化掩膜层可一次性形成多个发光二极管，方法简单，有利于提高生产效率。

附图说明

图1为本发明实施例有机发光二极管阵列的制备方法的流程图。

图2为本发明实施例有机发光二极管制备装置的结构示意图。

图3为本发明实施例有机发光二极管的结构示意图。

图4为本发明实施例图案化掩膜层的结构示意图。

图5为本发明实施例从碳纳米管阵列中拉取获得的碳纳米管膜的扫描电镜照片。

图6为本发明一实施例碳纳米管膜结构的扫描电镜照片。

图7为本发明另一实施例有机发光二极管制备装置的结构示意图。

图8为本发明一实施例蒸镀后的蒸发源的扫描电镜照片。

图9为本发明另一实施例有机发光二极管的结构示意图。

主要元件符号说明