[发明专利]一种偏置电路、振荡器和电荷泵

说明书

本发明实施例提供一种偏置电路、振荡器和电荷泵，偏置电路包括第一电流镜像模块和第二电流镜像模块，偏置电路还包括：分流模块，分流模块分别与第一电流镜像模块的输出端、第二电流镜像模块的输入端和振荡器的使能端相连，当振荡器的使能信号幅值大于或等于预设值时，分流模块对第一电流镜像模块的输出电流进行分流，并输出分流后的电流至第二电流镜像模块；其中，分流后的电流与振荡器的使能信号幅值成反比例。在偏置电路的参考电流(即第一电流镜像模块的输出电流)不变的情况下，当振荡器的使能信号幅值(即电荷泵的电源电压变化)大于或等于预设值时，本发明实施例能保持电荷泵提供电荷能力恒定。

技术领域

本发明涉及电路技术领域，特别是涉及一种偏置电路、一种振荡器和一种电荷泵。

背景技术

电荷泵的能力，也就是电荷泵向负载提供电荷的能力，与电荷泵的时钟频率和时钟幅值有关系。图1是传统电荷泵的电路结构示意图，图2是传统电荷泵的时钟时序示意图。在时钟频率达到传统电荷泵的崩溃点前，即在时钟频率没有远超过传统电荷泵中电容无法传输电荷的频率值的情况下，时钟clk/clkb越大，时钟幅度VDD越高，那么传统电荷泵提供电荷能力越强。

然而，当传统电荷泵应用于存储器时，通常应用在宽电源电压的情况下，也就是传统电荷泵的电源电压会在1VDD～3VDD的范围内变化。此时，若传统电荷泵的参考电流给定，即当传统电荷泵的振荡器无法调整参考电流时，传统电荷泵提供电荷的能力将随电源电压的变化而变化。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种偏置电路、一种振荡器和一种电荷泵，以解决当传统电荷泵的振荡器无法调整参考电流时，传统电荷泵提供电荷的能力随电源电压的变化而变化的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种偏置电路，应用于振荡器，所述偏置电路包括第一电流镜像模块和第二电流镜像模块，所述偏置电路还包括：分流模块，所述分流模块分别与所述第一电流镜像模块的输出端、所述第二电流镜像模块的输入端和所述振荡器的使能端相连，当所述振荡器的使能信号幅值大于或等于预设值时，所述分流模块对所述第一电流镜像模块的输出电流进行分流，并输出分流后的电流至所述第二电流镜像模块；其中，所述分流后的电流与所述振荡器的使能信号幅值成反比例。

可选地，所述分流模块包括：第一电流支路，所述第一电流支路分别与所述第一电流镜像模块的输出端和所述振荡器的使能端相连；所述第一电流支路的阻值与所述振荡器的使能信号幅值成反比例；第二电流支路，所述第二电流支路分别与所述第一电流镜像模块的输出端和所述第二电流镜像模块的输入端相连；当所述振荡器的使能信号幅值大于或等于所述预设值时，所述第一电流支路和所述第二电流支路导通；当所述振荡器的使能信号幅值小于所述预设值时，所述第一电流支路断开，所述第二电流支路导通。

可选地，所述第一电流支路包括：第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏端与所述第一电流镜像模块的输出端相连，所述第一NMOS管的控制端与所述振荡器的使能端相连；至少一个第二NMOS管，所述至少一个第二NMOS管并联连接，所述第二NMOS管的漏端和控制端分别与所述第一NMOS管的源端相连，所述第二NMOS管的源端接地。

可选地，所述第一NMOS管的等效电阻与所述振荡器的使能信号幅值成反比例。

可选地，所述第二电流支路包括：第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏端与所述第一电流镜像模块的输出端相连，所述第三NMOS管的控制端与所述第二电流镜像模块的输入端相连，所述第三NMOS管的源端接地。

可选地，所述第一NMOS管的尺寸、所述第二NMOS管的尺寸和所述第三NMOS管的尺寸相同。

为了解决上述问题，本发明实施例还公开了一种振荡器，包括所述的偏置电路。

为了解决上述问题，本发明实施例还公开了一种电荷泵，包括所述的振荡器。