[发明专利]一种带双重唤醒功能的交流充电接口控制装置有效
申请号: | 201710299672.0 | 申请日: | 2017-05-02 |
公开(公告)号: | CN107161017B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 杨宏伟 | 申请(专利权)人: | 北京欧鹏巴赫新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | B60L53/14 | 分类号: | B60L53/14;B60L53/20;B60L58/10 |
代理公司: | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人: | 丁瑞瑞 |
地址: | 102200 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双重 唤醒 功能 交流 充电 接口 控制 装置 | ||
1.一种带双重唤醒功能的交流充电接口控制装置,其特征在于,交流充电接口控制装置包括电源管理系统、场效应晶体管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、二极管D2,所述电源管理系统包括和主控模块、RTC从板,RTC从板上设置有RTC从板的电源输入端、RTC控制模块,所述场效应晶体管Q3,电阻R2和电阻R3均设置在RTC从板上,所述RTC从板上设置有双重唤醒功能电路;所述RTC控制模块包括电源输入端VLS1、控制端MDO;
电阻R2与场效应晶体管Q3的漏极连接,场效应晶体管Q3的源极与地连接,场效应管Q3的栅极还通过电阻R4与地连接,所述场效应管Q3的栅极通过电阻R5与控制端MDO连接;
所述双重唤醒功能电路包括二极管D2、二极管D3、电阻R11、电阻R13、场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2;车辆接口的CP端、二极管D3、电阻R11、场效应晶体管Q1的栅极依次连接;所述场效应晶体管Q1的漏极与地连接,源极经过电阻R13与场效应晶体管Q2的栅极连接,所述场效应晶体管Q2的源极与常电VLS0连接,漏极与RTC控制模块的电源输入端VLS1连接;
所述主控模块包括主控唤醒端BCU_wake,所述主控唤醒端BCU_wake通过二极管D2与二极管D3和电阻R11之间的连接点连接。
2.根据权利要求1所述的一种带双重唤醒功能的交流充电接口控制装置,其特征在于,所述场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q3是N通道场效应晶体管,型号为BSS123N,所述场效应晶体管Q2是P通道场效应晶体管,型号为SQ2309ES-T1_GE3。
3.根据权利要求1所述的一种带双重唤醒功能的交流充电接口控制装置,其特征在于,所述常电VLS0的电压为12V或24V。
4.根据权利要求1所述的一种带双重唤醒功能的交流充电接口控制装置,其特征在于,所述整车电源端输出端的电压为12V。
5.根据权利要求1所述的一种带双重唤醒功能的交流充电接口控制装置,其特征在于,所述主控唤醒端BCU_wake有电时的电压为12V或24V。
6.根据权利要求1所述的一种带双重唤醒功能的交流充电接口控制装置,其特征在于,所述电阻R1和电阻R2的电阻比值为1:3。
7.根据权利要求1所述的一种带双重唤醒功能的交流充电接口控制装置,其特征在于,交流充电接口控制装置包括供电控制装置、单刀双掷开关S1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管D1,供电控制装置的输出端包括恒压电源端和PWM波形输出端,单刀双掷开关S1一端与供电控制装置的恒压电源端或PWM波形输出端连接,另一端与电阻R1的左端连接,电阻R1的右端与二极管D1的左端连接,二极管D1的右端通过电阻R2与场效应晶体管Q3的漏极连接,场效应晶体管Q3的源极与地连接,二极管D1的右端还通过电阻R3与地连接;所述单刀双掷开关S1开始连接供电控制装置的恒压电源端的时间点到RTC控制模块的控制端MDO电平发生变换的时间点的时间长度为T1,单刀双掷开关连接到恒压电源端时间点到单刀双掷开关调解到PWM波形输出端的时间点的时间长度为T2,所述时间长度T2大于时间长度T1。
8.根据权利要求7所述的一种带双重唤醒功能的交流充电接口控制装置,其特征在于,所述时间长度T2在100ms以上,时间长度T1不超过40ms。
9.根据权利要求1所述的一种带双重唤醒功能的交流充电接口控制装置,其特征在于,还包括整车电源端、继电器J1,所述电池管理系统还包括电源输入端、继电器控制端、充电唤醒端;车载充电机包括车载充电机控制装置,车载充电机控制装置包括输出端;继电器J1包括输入端、输出端、被控端;
所述车载充电机的控制装置的输出端与电池管理系统的充电唤醒端连接,整车电源端经过继电器J1的输入端和输出端与电池管理系统的电源输入端连接,所述电池管理系统的继电器控制端与继电器J1的被控端连接;电池管理系统的电源输出端为主控唤醒端BCU_wake,电池管理系统的电源输出端与RTC从板的电源输入端连接。
10.根据权利要求1所述的一种带双重唤醒功能的交流充电接口控制装置,其特征在于,还包括稳压二极管D4、稳压二极管D5、电阻R12、电阻R14,稳压二极管D5和电阻R12并联连接在场效应晶体管Q1的栅极和地之间,稳压二极管D4和电阻R14并联连接在场效应晶体管Q1的栅极和常电VLS0之间。
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