[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710299881.5 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107293622B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 张宇;马欢;肖云飞 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层、p型GaN层、Mg3N2层和透明导电层，所述Mg3N2层掺杂有Si；所述Mg3N2层中Si的掺杂浓度为1E17cm-3～5E17cm-3；p型GaN层中，Mg的掺杂浓度为5E18cm-3～1E19cm-3；
生长Mg3N2层时，控制NH3的流量为50000～70000sccm，三甲基镓的流量为10～20sccm，H2的流量为100～130L/min，二茂镁的流量为2000～4000sccm，SiH4的流量为1～3sccm。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述Mg3N2层的厚度为5～10nm。
3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述p型GaN层中Mg的掺杂浓度为5E18cm-3～1E19cm-3。
4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述p型GaN层的厚度为50～100nm。
5.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层、p型GaN层、Mg3N2层和透明导电层，所述Mg3N2层掺杂有Si；所述Mg3N2层中Si的掺杂浓度为1E17cm-3～5E17cm-3；p型GaN层中，Mg的掺杂浓度为5E18cm-3～1E19cm-3；
生长Mg3N2层时，控制NH3的流量为50000～70000sccm，三甲基镓的流量为10～20sccm，H2的流量为100～130L/min，二茂镁的流量为2000～4000sccm，SiH4的流量为1～3sccm。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述Mg3N2层的生长温度为900℃～1000℃。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述Mg3N2层的生长压力为100～300mbar。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述Mg3N2层的生长厚度为5～10nm。
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