[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上形成有源层膜；其特征在于，还包括：采用透明导电光刻胶形成所述薄膜晶体管的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述有源层膜之后，且在形成所述源极和所述漏极之前还包括：通过曝光工艺在所述基底上形成有源层的图形。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述采用透明导电光刻胶形成所述薄膜晶体管的源极和漏极包括：

在形成所述有源层的图形的所述基底上涂布透明导电光刻胶膜；

预固化所述透明导电光刻胶膜；

对所述透明导电光刻胶膜进行曝光和显影，以形成包括所述源极和所述漏极的图形；

对所述源极和所述漏极进行后固化。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述采用透明导电光刻胶形成所述薄膜晶体管的源极和漏极包括：

在形成所述有源层膜的所述基底上涂布透明导电光刻胶膜；

预固化所述透明导电光刻胶膜；

对所述透明导电光刻胶膜进行灰度掩膜工艺，去除对应所述有源层图形以外区域的所述透明导电光刻胶膜，部分保留对应所述有源层的沟槽的所述透明导电光刻胶膜，保留对应所述源极和所述漏极图形的所述透明导电光刻胶膜；

采用湿刻工艺制备形成所述有源层的图形；

通过干刻工艺去除对应所述有源层的所述沟槽的所述透明导电光刻胶膜，同时减薄对应所述源极和所述漏极图形的所述透明导电光刻胶膜，以形成所述源极和所述漏极的图形。

5.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述涂布透明导电光刻胶膜包括：通过狭缝涂布方式或者旋涂方式在所述基底上涂布形成所述透明导电光刻胶膜；

所述透明导电光刻胶膜的厚度范围为0.2～2.0μm。

6.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，预固化所述透明导电光刻胶膜的温度范围为100～110℃，预固化时间为50～80秒。

7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，对所述源极和所述漏极进行后固化的温度范围为110～120℃，后固化时间为50～80秒。

8.根据权利要求1-4任意一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述透明导电光刻胶包括导电介质、成膜树脂、光敏剂、溶剂和添加剂。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述导电介质采用电阻率小于10×10^-8Ω·m的导电金属粒子、导电合金粒子或者石墨烯；

所述成膜树脂采用热塑性树脂；

所述光敏剂采用芳香族酮类衍生物或安息香醚类衍生物。

10.根据权利要求1-4任意一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有源层采用多晶金属氧化物半导体材料或者非晶金属氧化物半导体材料。

11.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述有源层、所述源极和所述漏极之前或之后，还包括在基底上先后形成所述薄膜晶体管的栅极和栅绝缘层。

12.一种阵列基板的制备方法，包括在基底上形成薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用如权利要求1-11任意一项所述的制备方法制备而成。

13.根据权利要求12所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括：采用透明导电光刻胶形成数据线，所述数据线与所述薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺同时形成；

所述制备方法还包括：采用构图工艺在形成所述薄膜晶体管的基底上先后形成像素电极、钝化层和公共电极。

14.一种薄膜晶体管，包括有源层、源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述有源层的上方，其特征在于，所述源极和所述漏极采用透明导电光刻胶材料形成。

15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极和栅绝缘层，所述栅极设置于基底和所述有源层之间，所述栅绝缘层设置于所述栅极和所述有源层之间；

或者，所述栅绝缘层和所述栅极依次覆叠于所述源极和所述漏极的上方。