[发明专利]用于制造双极结型晶体管的方法

权利要求书

1.一种用于制造双极结型晶体管的方法，所述方法包括：

提供包括第一导电类型的埋覆层的半导体衬底；

在集电极注入区中对半导体衬底进行掺杂，以获取平行于半导体衬底的表面并且从半导体衬底的表面延伸到埋覆层的第一导电类型的集电极注入；

在半导体衬底的表面上提供第二导电类型的基极层，基极层覆盖集电极注入；

在基极层上提供牺牲发射极结构，其中牺牲发射极结构的区域的投影被集电极注入的区域围起；

通过围绕被牺牲发射极结构覆盖的基极层的区域的基极层的区域部分地相反掺杂集电极注入。

2.根据权利要求1所述的方法，其中衬底包括从半导体的表面延伸到衬底的深度方向中的沟槽；

其中对半导体衬底进行掺杂包括在沟槽之间的集电极注入区中对半导体衬底进行掺杂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中对半导体衬底进行掺杂包括在完全在沟槽之间延伸的集电极注入区中对半导体衬底进行掺杂，以获取完全在沟槽之间延伸的集电极注入。

4.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，其中对半导体衬底进行掺杂包括提供盖层并且部分地打开盖层，以获取限定集电极注入区的开口。

5.根据权利要求1至4中的一项所述的方法，其中提供基极层包括至少在邻近于集电极注入的区域中在半导体衬底的表面上外延地生长基极层。

6.根据权利要求1至6中的一项所述的方法，其中提供牺牲发射极结构包括在基极层上提供隔离层和在隔离层上提供牺牲发射极层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中提供牺牲发射极结构包括部分地移除牺牲发射极层，以获取牺牲发射极，其中牺牲发射极的区域的投影被集电极注入的区域围起。

8.根据权利要求7所述的方法，其中提供牺牲发射极结构包括提供牺牲发射极的侧壁上的侧面隔离层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中提供牺牲发射极结构包括部分地移除隔离层，使得隔离层在牺牲发射极下方突出并且使得隔离层的区域的投影被集电极注入的区域围起。

10.根据权利要求9所述的方法，其中提供牺牲发射极结构包括在隔离层和侧面隔离层上提供隔离间隔物，以获取牺牲发射极结构。

11.根据权利要求1至10中的一项所述的方法，其中所述方法包括在基极层上提供基极接触层。

12.根据权利要求1至11中的一项所述的方法，其中牺牲发射极结构包括牺牲发射极；

其中所述方法包括移除牺牲发射极，以获取发射极窗口，其中发射极窗口的区域的投影被集电极注入的区域围起。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述方法包括在发射极窗口中提供第一导电类型的发射极层以获取发射极。

14.根据权利要求11和12所述的方法，其中牺牲发射极结构包括布置在牺牲发射极与基极层之间的隔离层，其中隔离层在牺牲发射极下方突出并且使得隔离层的区域的投影被集电极注入的区域围起；

其中方法包括移除牺牲发射极和隔离层，以获取发射极窗口，其中发射极窗口在隔离间隔物下方突出并且其中发射极窗口的区域的投影被集电极注入的区域围起。

15.根据权利要求12和13所述的方法，其中方法包括在基极接触层上并且在发射极窗口中提供第一导电类型的发射极层，使得实现发射极窗口的过填充。

16.根据权利要求15所述的方法，其中发射极在通过移除在隔离间隔物下方突出的隔离层获取的切口中在基极接触层下方突出。

17.根据权利要求16所述的方法，其中方法包括部分地移除发射极层至少直至基极接触层，以获取发射极窗口中的发射极。

18.根据权利要求17所述的方法，部分地移除发射极层至少直至基极接触层包括移除发射极层至少直至基极接触层而同时维持隔离间隔物。

19.根据权利要求17和18中的一项所述的方法，提供用于接触基极接触层和发射极的接触。

20.根据权利要求1至19中的一项所述的方法，其中在集电极注入区中对半导体衬底进行掺杂包括在不使用光刻掩模的情况下在集电极注入区中对半导体衬底进行掺杂。

21.双极结型晶体管，包括

包含第一导电类型的埋覆层的半导体衬底；

平行于半导体衬底的表面并且从半导体衬底的表面延伸到埋覆层的第一导电类型的集电极；

布置在半导体衬底的表面上的第二导电类型的基极层，基极层覆盖集电极；

布置在基极层上的第一导电类型的发射极，其中发射极包括直接布置在基极层上的在隔离间隔物下方突出的切口，其中集电极的宽度在发射极的宽度的0.5至2倍之间；

其中集电极自对准到发射极。