[发明专利]封装结构

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

一基板；

一装置晶粒，形成于该基板上，其中该装置晶粒包括一半导体基板以及一导电垫，形成于该半导体基板上，且该装置晶粒有一第一高度；

一虚置晶粒，形成于该基板上且邻近该装置晶粒，其中该虚置晶粒有一第二高度，该第二高度低于该第一高度，该第二高度与该第一高度的一高度比值介于65％至85％的范围；

一封装层，形成于该装置晶粒及该虚置晶粒间；以及

一重分布结构，形成于该封装层上，其中该封装层的一部分延伸到该虚置晶粒以及该重分布结构之间，且该装置晶粒的一上表面从该封装层露出。

2.如权利要求1所述的封装结构，更包括：

一缓冲层，形成于该虚置晶粒上，其中该缓冲层的一上表面比该装置晶粒的该上表面低。

3.如权利要求1所述的封装结构，更包括：

一通孔，邻近该装置晶粒形成，其中该通孔有一第三高度，该第三高度高于该第一高度。

4.如权利要求1所述的封装结构，

其中该重分布结构电性连接至该装置晶粒。

5.如权利要求1所述的封装结构，其中该虚置晶粒的一热膨胀系数大抵上与该装置晶粒的一热膨胀系数相同。

6.如权利要求1所述的封装结构，更包括：

一通孔，邻近该装置晶粒形成；以及

一第二封装结构，形成于该装置晶粒上，其中该第二封装结构电性连接至该通孔。

7.一种封装结构，包括：

一基板；

一第一装置晶粒，形成于该基板上，其中该第一装置晶粒包括一第一半导体基板以及一导电垫，形成在该第一半导体基板上，且该第一装置晶粒具有一第一高度；

一第一虚置晶粒，形成于该基板上且邻近该第一装置晶粒，其中该第一虚置晶粒包括一第一粘合层，且该第一虚置晶粒具有一第二高度，该第二高度小于该第一高度，该第二高度与该第一高度的一高度比值介于65％至85％的范围；

一第一封装层，围绕该第一装置晶粒及该第一虚置晶粒，其中该第一封装层覆盖该第一虚置晶粒的上表面；以及

一重分布结构，形成于该第一封装层上，其中该重分布结构电性连接至该第一装置晶粒，该第一封装层的一部分延伸到该第一虚置晶粒以及该重分布结构之间，且该第一装置晶粒的一上表面从该第一封装层露出。

8.如权利要求7所述的封装结构，更包括：

一通孔，邻近该第一装置晶粒形成，其中该通孔的一上表面与该第一装置晶粒的该上表面等高。

9.如权利要求8所述的封装结构，更包括：

一第二封装结构，形成于该第一装置晶粒上，其中该第二封装结构电性连接至该通孔。

10.如权利要求7所述的封装结构，更包括：

一凸块下金属层，形成于该重分布结构上；以及

一电连接器，形成于该凸块下金属层上。

11.如权利要求7所述的封装结构，其中该第一虚置晶粒的一热膨胀系数与该第一装置晶粒的一热膨胀系数相同。

12.如权利要求7所述的封装结构，更包括：

一第二装置晶粒，形成于该封装层之上；以及

一第二虚置晶粒，邻近该第二装置晶粒形成。

13.如权利要求12所述的封装结构，更包括：

一第二封装层，形成于该第二装置晶粒及该第二虚置晶粒之间，其中该第二封装层覆盖于该第二虚置晶粒的一上表面。