[发明专利]非易失性存储单元和非易失性存储器在审
| 申请号： | 201710301060.0 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107452744A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 吴钧雄;金雅琴;林崇荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 非易失性存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种非易失性存储单元，包括：
衬底，具有鳍；
多个绝缘体，位于所述衬底的上方，其中，所述鳍位于所述多个绝缘体之间；
浮栅，位于所述鳍和所述多个绝缘体的上方；以及
控制栅极，位于所述多个绝缘体上的所述浮栅的上方且包括位于所述浮栅的多个侧壁上方的多个第一接触槽中的至少一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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